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PJD16N06A-AU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个N沟道 60V 16mA TO-252AA
供应商型号: PJD16N06A-AU
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD16N06A-AU

PJD16N06A-AU参数

参数 值
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 16mA
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252AA

PJD16N06A-AU厂商介绍

2026-03-27 强茂携手智合科技成立「强合智慧」抢攻企业AI市场 强茂股份有限公司3月26日宣布,与 AI 技术服务商智合科技签署合资协议,成立「强合智慧股份有限公司」(JVision),瞄准企业级 AI 解决方案市场,初期锁定半导体智能制造领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 PANJIT/台湾强茂 相关型号,如 MMBT3906、ES1D、US1M、BSS84 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

PJD16N06A-AU数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD16N06A-AU PJD16N06A-AU数据手册

PJD16N06A-AU封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.02
6000+ ¥ 1.003
9000+ ¥ 0.9775
库存: 51000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 3060
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
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09N50I-VB ¥ 4.2759
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12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336