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PJT138K_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 236mW 20V 1.5V@ 250µA 1nC@ 4.5V 2个N沟道 50V 1.6Ω@ 500mA,10V 360μA 50pF@25V SOT-363 贴片安装
供应商型号: 30C-PJT138K_R1_00001 SOT-363
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJT138K_R1_00001

PJT138K_R1_00001概述

    # PPJT138K N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    PPJT138K 是一款高性能的50V N-通道增强型MOSFET晶体管,专为电池供电系统设计,具有出色的开关特性和低导通电阻(RDS(on))。其核心应用领域包括固态继电器驱动器、显示屏驱动、存储器管理以及其他需要高效率和可靠性的电路设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术制造,确保了卓越的电气性能和长期稳定性。此外,其符合RoHS标准且绿色环保的设计使其成为现代电子设计的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 50 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | - | +20 | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 360mA | - | mA |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 1200mA | - | mA |
    | 功耗 (TA=25°C) | PD | - | 236mW | - | mW |
    | 导通电阻 (VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.96~1.6Ω | - | Ω |
    | 导通电阻 (VGS=4.5V) | RDS(on) | - | 1.25~2.5Ω | - | Ω |
    | 导通电阻 (VGS=2.5V) | RDS(on) | - | 2.73~4.5Ω | - | Ω |
    | 热阻 | RθJA | - | 530°C/W | - | °C/W |
    工作环境:
    - 操作结温范围:-55°C 至 150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on)在多种栅源电压下表现出优异的性能,特别是在典型工作条件下能够提供小于1.6Ω的导通电阻,确保了高效的能量转换。
    2. 高级沟槽工艺:采用先进的沟槽技术,提高了开关速度和耐压能力。
    3. 高可靠性设计:具备2KV人体模型(HBM)静电放电保护,有效延长使用寿命。
    4. 绿色合规:符合欧盟RoHS指令,并采用无卤素材料。
    5. 广泛的应用支持:专为电池供电设备设计,适用于固态继电器、显示屏驱动、存储器等应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 固态继电器驱动器:由于其低导通电阻和快速开关性能,非常适合用于控制各种负载。
    - 显示屏驱动:能够高效驱动LED背光或其他显示屏模块。
    - 存储器保护:通过与存储芯片配合使用,实现稳定的电源管理。
    使用建议
    - 在高电流工作条件下,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 根据实际需求调整栅源电压(VGS),以达到最佳性能。
    - 使用时务必遵循手册中的ESD防护措施,防止损坏。

    5. 兼容性和支持


    PPJT138K采用标准的SOT-363封装,易于焊接安装。其与同类产品具有良好的兼容性,便于替换现有设计中的其他型号。制造商提供了全面的技术支持,包括详尽的数据手册、参考设计文档以及在线技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备发热严重 | 改善PCB布局,增加散热片或热导管 |
    | 开关速度慢 | 减少外部寄生电感和电容的影响 |
    | 烧毁失效 | 检查电路连接是否正确并确保ESD保护措施 |

    7. 总结和推荐


    PPJT138K N-Channel Enhancement Mode MOSFET以其出色的性能和高可靠性成为电子工程师的理想选择。其低导通电阻、先进的沟槽工艺技术和严格的绿色环保要求使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高效、可靠且小型化解决方案的设计者而言,这款产品无疑是最佳选择之一。强烈推荐用于电池供电设备、显示屏驱动及固态继电器驱动等领域。
    如果您正在寻找一款性能稳定、易于集成的MOSFET器件,PPJT138K将是一个明智的选择。

PJT138K_R1_00001参数

参数
配置 separate,2elementswithbuilt-indiode
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
Id-连续漏极电流 360μA
通道数量 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 1nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 50V
最大功率耗散 236mW
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJT138K_R1_00001数据手册

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PJT138K_R1_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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200+ ¥ 0.2408
1500+ ¥ 0.2083
3000+ ¥ 0.1848
45000+ ¥ 0.1837
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