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PJMP130N65EC_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 51nC@ 10V 1个N沟道 650V 130mΩ@ 10.8A,10V 29mA TO-220AB-L
供应商型号: 3757-PJMP130N65EC_T0_00001-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJMP130N65EC_T0_00001

PJMP130N65EC_T0_00001参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 51nC@ 10V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 10.8A,10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 29mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220AB-L
应用等级 工业级
零件状态 在售

PJMP130N65EC_T0_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJMP130N65EC_T0_00001 PJMP130N65EC_T0_00001数据手册

PJMP130N65EC_T0_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 8.6184 ¥ 72.8255
10+ $ 5.6399 ¥ 47.1991
100+ $ 4.1369 ¥ 34.6208
500+ $ 3.5516 ¥ 29.7225
库存: 2000
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 72.82
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