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PJD15P06A_L2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2W(Ta),25W(Tc) 2.5V@ 250µA 17nC@ 10 V 1个P沟道 60V 68mΩ@ 7.5A,10V 15A 879pF@30V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: 3757-PJD15P06A_L2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD15P06A_L2_00001

PJD15P06A_L2_00001参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 17nC@ 10 V
最大功率耗散 2W(Ta),25W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 879pF@30V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 68mΩ@ 7.5A,10V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJD15P06A_L2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD15P06A_L2_00001 PJD15P06A_L2_00001数据手册

PJD15P06A_L2_00001封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.226 ¥ 1.8916
6000+ $ 0.2079 ¥ 1.7396
9000+ $ 0.1986 ¥ 1.6621
15000+ $ 0.1882 ¥ 1.5751
21000+ $ 0.1821 ¥ 1.5236
30000+ $ 0.1802 ¥ 1.5079
库存: 18000
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 5674.8
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