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PJA3439-AU

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1个P沟道 60V 300mA SOT-23
供应商型号: PJA3439-AU
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3439-AU

PJA3439-AU概述

    # 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    PPJA3439-AU是一款高性能的60V P沟道增强型MOSFET,主要设计用于继电器驱动和高速线路驱动等应用场景。其先进的沟槽工艺技术确保了卓越的开关特性和低导通电阻(RDS(on)),同时满足AEC-Q101汽车质量标准。该产品采用无铅封装,并符合欧盟RoHS指令,是一款绿色环保的产品。

    技术参数


    以下是PPJA3439-AU的技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -60 V |
    | 栅源电压 | VGS | +20 V |
    | 持续漏极电流 | ID -300 mA |
    | 脉冲漏极电流 | IDM -1000 mA |
    | 功率耗散(TA=25°C) | PD 500 mW |
    | 导通电阻(VGS=-10V) | RDS(on) 2.4 | 4 | Ω |
    | 导通电阻(VGS=-4.5V) | RDS(on) 2.65 | 6 | Ω |
    | 导通电阻(VGS=-2.5V) | RDS(on) 4.5 | 13 | Ω |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS -1 | µA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS +100 | nA |

    产品特点和优势


    PPJA3439-AU的主要特点包括:
    - 低导通电阻:在不同电压条件下提供了优秀的导通电阻性能。
    - 先进工艺技术:采用先进的沟槽制造工艺,提升可靠性。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车电子和其他高可靠性需求的应用。
    - 环保合规:无卤素材料,符合RoHS标准,绿色模塑化合物符合IEC 61249标准。

    应用案例和使用建议


    PPJA3439-AU广泛应用于继电器驱动和高速线路驱动等领域。例如,在汽车电子系统中,它可以作为电源管理的关键组件,提供高效的开关控制。使用时,建议根据具体应用调整驱动电路的设计,确保最佳性能和稳定性。

    兼容性和支持


    PPJA3439-AU支持SOT-23封装,并且与其他标准电子元器件具有良好的兼容性。厂商提供了详尽的技术支持和服务,帮助客户解决在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,适当增加散热片或改善通风条件。
    2. 问题:开启时间过长
    - 解决方案:检查驱动电路的阻抗设置,调整至推荐值以缩短开启时间。
    3. 问题:漏电流过大
    - 解决方案:确认工作环境温度是否超出额定范围,必要时采取降温措施。

    总结和推荐


    PPJA3439-AU以其出色的性能和广泛的适用性成为市场上备受推崇的MOSFET产品之一。它不仅能够满足多种工业和消费类电子的需求,还能应对极端的工作环境。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子产品设计师和制造商。

PJA3439-AU参数

参数
Id-连续漏极电流 300mA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 SOT-23

PJA3439-AU数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJA3439-AU PJA3439-AU数据手册

PJA3439-AU封装设计

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