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PJP60R620E_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1个N沟道 600V 7mA TO-220AB
供应商型号: 3757-PJP60R620E_T0_00001-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJP60R620E_T0_00001

PJP60R620E_T0_00001参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7mA
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220AB
零件状态 在售

PJP60R620E_T0_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJP60R620E_T0_00001 PJP60R620E_T0_00001数据手册

PJP60R620E_T0_00001封装设计

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2000+ $ 0.6823 ¥ 5.7096
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