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PJMP120N60EC_T0_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 235W(Tc) 4V@ 250µA 51nC@ 10 V 1个N沟道 600V 120mΩ@ 12A,10V 30mA 1.96nF@400V TO-220AB-L 通孔安装
供应商型号: AV-S-PJMP120N60EC_T0_00001
供应商: Avnet
标准整包数: 50
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJMP120N60EC_T0_00001

PJMP120N60EC_T0_00001概述

    # 600V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    PJMP120N60EC 是一款高性能的600V N-Channel Super Junction MOSFET,专为高效能电源转换设计。它采用TO-220AB-L封装形式,具备低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度,是各种高效率电源应用的理想选择。这款MOSFET广泛应用于功率因数校正(PFC)、电视电源、个人电脑电源、快充适配器、充电器及不间断电源(UPS)等领域。

    技术参数


    以下为该产品的关键技术参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为120mΩ(当VGS=10V时)
    - 漏极-源极电压(VDS):最大值650V,额定值600V
    - 栅极-源极电压(VGS):最大值±30V
    - 连续漏极电流(ID):在25°C时为30A,在100°C时为18.5A
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值69A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):670mJ
    - 结到壳体热阻(RθJC):0.53°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):62.5°C/W
    - 工作温度范围:-55°C至150°C
    - 输出电容(Coss):典型值66pF
    此外,该产品通过了100%雪崩测试和栅极电阻测试,符合RoHS标准,并采用环保绿色模塑化合物,完全无铅。

    产品特点和优势


    特点:
    1. 低导通电阻(RDS(on)):最大值仅为120mΩ,提供极低的导通损耗。
    2. 快速开关速度:适合高频开关应用,有效减少开关损耗。
    3. 高可靠性:100%通过雪崩和栅极电阻测试。
    4. 环保材料:符合欧盟RoHS指令,使用环保型模塑化合物。
    优势:
    - 易于驱动:无需复杂的驱动电路,简化设计。
    - 广泛适用性:适用于多种功率转换场合,如消费电子、工业设备等。
    - 高性价比:在同类产品中具有较高的性能价格比,适合大规模应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. PFC(功率因数校正)电路:利用其低导通电阻特性,降低损耗,提高效率。
    2. 电视电源:用于主开关管,确保高效稳定运行。
    3. 快充适配器:配合高频PWM控制,提升充电速度并减少发热。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其较高的结到环境热阻,建议安装良好的散热片以避免过热。
    - 驱动电路设计:确保栅极驱动电压合适,以充分发挥其快速开关性能。
    - 测试验证:在实际应用前进行充分的雪崩测试和高温测试,确保产品可靠运行。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-220AB-L封装,便于与大多数现有电源模块兼容。Panjit International Inc. 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用技术支持和售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗较高 | 检查栅极驱动电路,确保驱动电压足够高 |
    | 导通电阻异常增大 | 确保焊接质量良好,重新测试 |
    | 温度过高 | 安装高效散热片,并优化散热设计 |

    总结和推荐


    综合评估:
    PJMP120N60EC是一款高性能的Super Junction MOSFET,以其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性成为各种电源转换应用的理想选择。特别是在消费电子和工业设备中,其出色的性能表现使其在市场上具有强大的竞争力。
    推荐使用:
    强烈推荐在需要高效、高频率工作的应用场景中使用该产品,如PFC电路、快充适配器和电视电源等。其易于驱动的特点和广泛的兼容性使得设计更为灵活简便。
    如果您正在寻找一款兼具高性能和可靠性的MOSFET,PJMP120N60EC无疑是一个明智的选择!

PJMP120N60EC_T0_00001参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 12A,10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 30mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.96nF@400V
配置 -
最大功率耗散 235W(Tc)
栅极电荷 51nC@ 10 V
通道数量 -
通用封装 TO-220AB-L
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

PJMP120N60EC_T0_00001数据手册

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PJMP120N60EC_T0_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.8745 ¥ 16.5893
250+ $ 1.5162 ¥ 13.4184
600+ $ 1.1433 ¥ 10.1182
1900+ $ 1.0914 ¥ 9.6585
库存: 3000
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