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PJD40N15_L2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 2W(Ta),131W(Tc) 4V@ 250µA 52nC@ 10 V 1个N沟道 150V 35mΩ@ 20A,10V 40mA 2.207nF@75V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: 3757-PJD40N15_L2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD40N15_L2_00001

PJD40N15_L2_00001参数

参数
最大功率耗散 2W(Ta),131W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 150V
栅极电荷 52nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 20A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.207nF@75V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 40mA
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJD40N15_L2_00001数据手册

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PJD40N15_L2_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.5808 ¥ 4.8604
6000+ $ 0.5499 ¥ 4.602
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