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PJD60R390E_L2_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 32nC@ 10V 1个N沟道 600V 390mΩ@ 3.8A,10V 11mA TO-252AA
供应商型号: 3757-PJD60R390E_L2_00001TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 3000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJD60R390E_L2_00001

PJD60R390E_L2_00001参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ@ 3.8A,10V
栅极电荷 32nC@ 10V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 11mA
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252AA

PJD60R390E_L2_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJD60R390E_L2_00001 PJD60R390E_L2_00001数据手册

PJD60R390E_L2_00001封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.8101 ¥ 6.7792
6000+ $ 0.8073 ¥ 6.7561
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交货地:
最小起订量为:3000
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