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PJX138K_R1_00001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 223W 20V 1.5V@ 250µA 1nC@ 4.5V 2个N沟道 50V 1.6Ω@ 500mA,10V 350μA 50pF@25V SOT-563 贴片安装 600μm(高度)
供应商型号: REB-TMOS2159
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJX138K_R1_00001

PJX138K_R1_00001参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
Id-连续漏极电流 350μA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 1nC@ 4.5V
最大功率耗散 223W
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 500mA,10V
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 50V
长*宽*高 600μm(高度)
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PJX138K_R1_00001数据手册

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PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001数据手册

PJX138K_R1_00001封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.0558 ¥ 0.4891
8000+ $ 0.0543 ¥ 0.4764
12000+ $ 0.0534 ¥ 0.4679
16000+ $ 0.0482 ¥ 0.4225
24000+ $ 0.0456 ¥ 0.3997
库存: 4000
起订量: 4000 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:4000
合计: ¥ 1956.4
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