处理中...

首页  >  产品百科  >  PJA3411

PJA3411

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: PANJIT/台湾强茂
产品描述: 1个P沟道 20V 3.1A SOT-23
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PJA3411

PJA3411概述

    20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET(型号:PPJA3411)

    1. 产品简介


    PPJA3411是一款由Panjit International Inc.生产的P沟道增强型MOSFET。其主要应用于开关负载、PWM控制等场景。这款MOSFET以其卓越的导通电阻特性以及先进的沟槽工艺技术而著称,非常适合在需要高效能和低损耗的应用中使用。

    2. 技术参数


    - 电压范围:VDS = -20 V
    - 电流范围:ID = -3.1 A
    - 最大脉冲电流:IDM = -12.4 A
    - 最大功率耗散:PD = 1.25 W(Ta=25°C)
    - 导通电阻:RDS(on)在不同电压条件下的阻值分别为100 mΩ (VGS=-4.5V, ID=-3.1A),135 mΩ (VGS=-2.5V, ID=-2.0A),190 mΩ (VGS=-1.8V, ID=-1.1A)
    - 最高工作温度:TJ, TSTG = -55°C ~ 150°C
    - 典型热阻:RθJA = 100°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高级沟槽工艺技术:提升了导通性能和可靠性。
    - 导通电阻低:在各种工作条件下均具有较低的导通电阻,适合高效率应用。
    - 绿色环保材料:采用无卤素绿色模塑料和符合RoHS标准,更加环保。
    - 兼容SMT工艺:符合MIL-STD-750标准,确保焊接质量。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用示例:适用于开关电源、逆变器、马达驱动等领域。
    - 使用建议:为了保证长期稳定运行,应避免长时间处于接近额定功率的状态,并采取适当的散热措施。此外,选择合适的栅极电阻(如6Ω)可以有效改善开关速度和降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    - PPJA3411兼容SOT-23封装标准,能够轻松替换现有设计中的类似器件。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括产品手册、应用指南和故障排查资源。对于用户的具体应用需求,也可以通过官方渠道获得定制化支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻增加 | 检查工作温度是否超出范围,考虑重新设计散热方案。|
    | 热稳定性差 | 适当增大散热面积或使用散热片以提高热管理效果。|

    7. 总结和推荐


    综上所述,PPJA3411凭借其优秀的导通性能、低功耗特性和环保特性,在众多应用场景中表现出色。无论是用于开关电源还是电机驱动系统,它都能展现出色的表现。因此,我强烈推荐此产品给那些对高性能和高效能有严格要求的应用项目。

PJA3411参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 3.1A
通用封装 SOT-23

PJA3411数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
PANJIT/台湾强茂 场效应管(MOSFET) PANJIT/台湾强茂 PJA3411 PJA3411数据手册

PJA3411封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0