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BSH121,135

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述:
供应商型号: CY-BSH121,135
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BSH121,135

BSH121,135概述

    BSH121 N-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor

    1. 产品简介


    BSH121 是一款采用Philips的TrenchMOS™技术制造的N沟道增强型场效应晶体管(N-channel enhancement mode field-effect transistor),封装形式为SOT323。这种类型的晶体管广泛应用于电池管理、高速开关以及逻辑电平转换等领域。

    2. 技术参数


    极限值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 最大值为55V(在25°C到150°C之间)。
    - 源漏电流 \( ID \): 最大连续值为300mA(在25°C时,VGS = 4.5V;最大峰值为1.2A)。
    - 总功耗 \( P{tot} \): 在25°C时的最大值为0.7W。
    - 端子温度 \( Tj \): -150°C至+150°C。
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - VGS = 4.5V, ID = 500mA时:2.3Ω至4.0Ω。
    - VGS = 2.5V, ID = 75mA时:2.4Ω至5.0Ω。
    - VGS = 1.8V, ID = 75mA时:3.1Ω至8.0Ω。
    快速参考数据
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 \( V(BR)DSS \): 最大值为75V(在25°C时)。
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 最小值为0.4V,典型值为1.0V。
    - 漏极源极漏电流 \( I{DSS} \): 最大值为1μA(在25°C时)。
    - 动态特性:
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 最大值为380mS(在10V, ID = 200mA时)。
    - 总栅极电荷 \( Qg(tot) \): 最大值为1.0nC(在44V, ID = 0.5A时)。

    3. 产品特点和优势


    - TrenchMOS™技术:提供非常低的导通电阻和高功率密度,使器件具有出色的开关速度和能效。
    - 低阈值电压:使得BSH121能够在较低的电压下开启,从而适用于各种低功耗应用。
    - 超小型表面贴装封装:SOT323封装使得该器件体积小巧,适合于空间受限的设计。
    - 高速开关性能:快速的开关速度使其特别适用于高频电路设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池管理:由于其低漏电流和低功耗特性,BSH121常用于电池管理和电源管理应用。
    - 高速开关:利用其高速开关能力,可以提高电路的效率和响应速度。
    - 逻辑电平转换:可以在不同电压级别的数字信号之间进行电平转换。
    使用建议
    - 在电池管理应用中,需要确保系统设计能够充分利用其低功耗特性,以延长电池寿命。
    - 在高速开关电路中,注意布局布线以减少寄生电容和电感的影响,从而提高整体性能。
    - 在逻辑电平转换应用中,考虑使用适当的上拉/下拉电阻,以确保正确的电压水平。

    5. 兼容性和支持


    BSH121与其他常见的电子元器件和设备兼容良好,尤其是在电源管理和电池管理系统中。制造商提供了全面的技术支持,包括详细的文档和专业技术人员的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问题1:启动时导通电阻过高。
    - 解决方案:检查电路设计,确保正确的驱动电压,调整驱动电阻以优化门极电荷。
    - 问题2:散热不良导致过热。
    - 解决方案:改善散热设计,增加散热片或者优化PCB布局,减少热阻。

    7. 总结和推荐


    总体来说,BSH121是一款性能优异的N沟道增强型场效应晶体管。它以其低功耗、高速开关能力和紧凑的封装形式脱颖而出,适用于多种应用场合。对于那些需要高效、可靠的电源管理或高速开关的应用,BSH121是理想的选择。强烈推荐使用这款产品。

BSH121,135参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSH121,135厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BSH121,135数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BSH121,135 BSH121,135数据手册

BSH121,135封装设计

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