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PSMN005-55P,127

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 230W(Tc) 15V 2V@1mA 103nC@ 5 V 1个N沟道 55V 5.8mΩ@ 25A,10V 75A 6.5nF@25V TO-220AB 通孔安装 10.3mm*4.7mm*9.4mm
供应商型号: PSMN005-55P,127-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) PSMN005-55P,127

PSMN005-55P,127概述

    文章标题:高效能N通道逻辑电平TrenchMOS(TM)晶体管——PSMN005-55B与PSMN005-55P

    一、产品简介


    PSMN005-55B和PSMN005-55P是Philips公司推出的高性能N通道逻辑电平TrenchMOS(TM)晶体管系列。这些晶体管采用最新的Trench技术,旨在提供极低的导通电阻(RDS(ON))和快速开关性能。其核心设计旨在满足现代电力电子系统的需求,尤其适用于DC-DC转换器和开关电源等领域。
    产品类型:
    - PSMN005-55B:表面贴装型(SOT404/D2PAK)。
    - PSMN005-55P:传统引脚型(SOT78/TO220AB)。
    主要功能:
    - 极低的导通电阻(RDS(ON))。
    - 快速开关特性。
    - 高可靠性,适用于恶劣的工作环境。
    应用领域:
    - DC-DC转换器
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 电机驱动
    - LED照明控制

    二、技术参数


    以下为PSMN005-55B和PSMN005-55P的主要技术参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDSS | - | 55 | - | V |
    | 栅源电压连续额定值 | VGS | ±15 | - | ±15 | V |
    | 漏极电流连续额定值 | ID | - | 75 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 240 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | - | 5.8(VGS=10V)| - | mΩ |
    | 门限电压(典型值) | VGS(TO) | 1.0 | 1.5 | 2.0 | V |
    | 温度范围 | Tj | -55 | - | 175 | ℃ |
    其他参数包括内部电感(Ld和Ls)、输入/输出电容(Ciss、Coss、Crss),以及最大功率耗散(PD=230W)等。

    三、产品特点和优势


    1. 卓越的导通电阻:
    PSMN005-55B和PSMN005-55P具有极低的RDS(ON),分别为5.8mΩ(VGS=10V)和6.3mΩ(VGS=5V)。这使得它们成为低功耗、高效率应用的理想选择。
    2. 快速开关性能:
    门极电荷和反向恢复时间的优化确保了超快的开关速度,从而减少了开关损耗。
    3. 热管理优化:
    热阻抗Rth j-mb为0.65K/W,使散热设计更为轻松。
    4. 高可靠性:
    支持高达175℃的结温,可在极端环境下保持稳定运行。
    5. 封装多样性:
    提供SOT78(TO220AB)和SOT404(D2PAK)两种封装形式,以适应不同应用场景需求。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:用于车载充电器或工业级电源系统中,提升整体效率并降低功耗。
    - LED驱动电路:结合PSMN005系列的快速开关特性,能够精确调节亮度,提高使用寿命。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,需考虑增加外部散热片以保证可靠运行。
    2. 配合高速驱动电路,充分利用快速开关特性以减少总谐波失真(THD)。
    3. 建议避免长时间超过最大额定值运行,以防因过热导致损坏。

    五、兼容性和支持


    PSMN005-55B和PSMN005-55P可与其他标准封装的同类产品兼容,方便用户进行替换升级。Philips提供全面的技术支持文档及售后服务,确保客户在开发过程中获得充分帮助。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间电流过大 | 检查输入电压是否符合要求 |
    | 散热片无法有效降温 | 使用更大面积的散热片 |
    | 重复出现漏电流 | 确认连接是否正确,检查绝缘材料 |

    七、总结和推荐


    综上所述,PSMN005-55B和PSMN005-55P凭借其优异的性能和灵活性,在多种应用场合展现出强大的竞争力。特别是其极低的导通电阻、快速开关能力和良好的热稳定性,使其成为电力电子系统的优选组件。强烈推荐用于对效率和可靠性有较高要求的设计项目中。
    推荐指数:⭐⭐⭐⭐⭐

PSMN005-55P,127参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 55V
最大功率耗散 230W(Tc)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 15V
栅极电荷 103nC@ 5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.5nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 25A,10V
Id-连续漏极电流 75A
长*宽*高 10.3mm*4.7mm*9.4mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级
零件状态 停产
包装方式 管装

PSMN005-55P,127厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

PSMN005-55P,127数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS PSMN005-55P,127 PSMN005-55P,127数据手册

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