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MRF7S21080HSR3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 6V,10V 1个N沟道 65V NI-780S 底座安装 20.7mm*9.91mm*4.32mm
供应商型号: CSCS-MRF7S21080HSR3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) MRF7S21080HSR3

MRF7S21080HSR3概述

    # Freescale Semiconductor MRF7S21080HR3/MRF7S21080HSR3 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    MRF7S21080HR3 和 MRF7S21080HSR3 是由 Freescale Semiconductor(现为 NXP Semiconductors 的一部分)开发的高性能射频功率场效应晶体管(RF Power Field Effect Transistors)。这些器件属于增强模式横向N沟道金属氧化物半导体(Lateral N-Channel MOSFET),专为基站应用设计,支持频率范围为 2110 至 2170 MHz。产品适用于 CDMA、TD-SCDMA 和 PCN-PCS/cellular 无线通信系统,并在单载波和多载波放大器应用中表现出色。
    主要功能
    - 支持数字预失真误差校正系统;
    - 高增益(典型值为 18 dB)和高效率(典型值为 32%);
    - 具备优异的邻信道功率比(ACPR),在±5 MHz偏移时达到 -38 dBc;
    - 内置静电放电保护(ESD Protection);
    - 温度适应性强,支持宽温度范围内的应用。
    应用领域
    - CDMA 基站;
    - TD-SCDMA 与 PCN-PCS 无线电系统;
    - 单载波和多载波功率放大器;
    - 数字预失真校正系统。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术规格和性能参数:
    | 参数类别 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 工作频率范围 | 2110 2170 | MHz |
    | 功率增益 | 16.5 | 18 | 19.5 | dB |
    | 漏极效率 | 30 | 32 % |
    | 输出信号峰均比 | 5.7 | 6.5 dB |
    | 邻信道功率比(ACPR) -38 | -35 | dBc |
    | 输入反射损耗 -16 | -9 | dB |
    | 静态漏电流 10 | μA |
    工作环境
    - 工作电压:28 Vdc;
    - 存储温度范围:-65 至 +150 °C;
    - 操作温度范围:150 °C;
    - 结点温度范围:-30 至 +225 °C。
    热阻特性
    - 结点到外壳热阻:RθJC = 0.60 至 0.65 °C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 卓越性能:具备高增益和高效率,在 CDMA 和 WCDMA 系统中表现出色;
    - 内置匹配电路:简化设计,方便工程师快速集成;
    - 宽工作温度范围:适应复杂的工作环境;
    - 可靠性强:内部具有静电放电保护,防止因静电损坏器件;
    - 低功耗:静态漏电流低,功耗更小。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在 CDMA 基站的多载波功率放大器中,该器件可实现高效的信号放大;
    - 在 TD-SCDMA 系统中,用于提升通信系统的线性度和信号质量;
    - 数字预失真校正系统中的关键组件,显著提高信号保真度。
    使用建议
    - 确保输入信号的峰均比(PAR)低于 7.5 dB,以保持良好的线性度;
    - 根据负载条件调整外部匹配网络,优化整体效率;
    - 在高功率运行时,合理布局散热结构,避免器件过热。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 可与标准 PCB 设计兼容;
    - 与同类器件具有相似引脚配置,便于替换现有产品。
    支持服务
    - Freescale 提供全面的技术文档和技术支持;
    - 在线软件工具(如 MTTF 计算器和 RF 高功率模型)可辅助设计和优化。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件过热 | 增加散热片或改善散热设计 |
    | 性能不达标 | 检查输入信号质量和外部匹配电路 |
    | 静态电流过高 | 确认电源电压是否正确设置 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    MRF7S21080HR3 和 MRF7S21080HSR3 是面向现代无线通信系统设计的理想射频功率放大器。其高增益、高效率、易于使用的特性使其在基站设备中表现优异。此外,其高性价比和良好的兼容性进一步提升了其市场竞争力。
    推荐结论
    我们强烈推荐 MRF7S21080HR3 和 MRF7S21080HSR3 作为下一代无线通信系统中功率放大器的核心组件。其卓越性能和可靠性使其成为基站和相关应用的理想选择。如果您需要高效率、高性能的射频器件,这两款产品无疑是一个值得信赖的选择。

    希望本文对您了解和选用 Freescale Semiconductor 的 MRF7S21080HR3 和 MRF7S21080HSR3 提供了充分的信息!

MRF7S21080HSR3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 6V,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 65V
最大功率耗散 -
长*宽*高 20.7mm*9.91mm*4.32mm
通用封装 NI-780S
安装方式 底座安装
包装方式 散装,卷带包装

MRF7S21080HSR3厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

MRF7S21080HSR3数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS MRF7S21080HSR3 MRF7S21080HSR3数据手册

MRF7S21080HSR3封装设计

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