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MMRF1314GSR5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 909W 6V,10V 1.8V 1个N沟道 -500mV,105V 2.6A NI-1230-4S 贴片安装
供应商型号: QNH-MMRF1314GSR5
供应商: NXP直供
标准整包数: 50
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) MMRF1314GSR5

MMRF1314GSR5概述

    # 高频射频功率放大器:MMRF1314H系列产品技术分析

    1. 产品简介


    基本介绍
    MMRF1314H、MMRF1314HS 和 MMRF1314GS 是由 Freescale Semiconductor(现为 NXP)开发的高频射频功率 LDMOS 晶体管,专为 L 波段雷达系统设计。这些器件是高鲁棒性的横向增强模式 N 通道 MOSFET 结构,能够在 1200 至 1400 MHz 的频率范围内运行。适用于脉冲应用,尤其适合军用和商用 L 波段雷达系统。
    主要功能
    - 支持脉冲操作,具有高输出功率和效率。
    - 内置输入和输出匹配电路,方便直接集成到系统中。
    - 集成 ESD 保护机制,扩展了负电压范围,适合极端环境应用。
    应用领域
    - 军用和商用 L 波段雷达系统
    - 需要高可靠性和高效能的脉冲放大器场合

    2. 技术参数


    以下为 MMRF1314H 系列产品的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |

    | 最大漏源电压 | -0.5 | – | +105 | Vdc |
    | 最大栅源电压 | -6.0 | – | +10 | Vdc |
    | 存储温度范围 | -65 | – | +150 | °C |
    | 结温范围 | -40 | – | +225 | °C |
    | 总耗散功率 @ 25°C | 909 | – | – | W |
    | 热阻抗,结到壳体 | 0.018 | – | – | °C/W |
    | 击穿电压 (VGS=0V, ID=10μA) | 105 | – | – | Vdc |
    | 零栅压漏电流 (VDS=105V) | – | – | 10 | μA |
    | 动态特性 (C反向转移电容) | – | 2.98 | – | pF |
    脉冲性能
    - 工作频率:1200–1400 MHz
    - 脉宽:128 μs
    - 占空比:10%
    - 最大输出功率:1130 W(峰值)
    - 功率增益:16.0–19.5 dB
    - 漏极效率:46.0–52.1%
    环境适应性
    - 工作环境温度:-40°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    特点
    1. 高鲁棒性:可承受 >20:1 的电压驻波比 (VSWR),适合恶劣工作环境。
    2. 集成化设计:内置输入和输出匹配网络,简化电路设计。
    3. 可靠性:采用先进的 LDMOS 工艺,支持脉冲工作模式。
    4. ESD 保护:具备更强的静电放电防护能力。
    优势
    - 宽泛的工作频带:覆盖 1200–1400 MHz 范围,适用于各种 L 波段雷达系统。
    - 高输出效率:典型漏极效率超过 50%,减少能耗。
    - 易于使用:内部匹配电路消除了额外的外围元件需求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 军事雷达系统:用于战斗机、地面雷达等场景,支持高性能和高可靠性的要求。
    - 通信基站:作为基站发射端放大器,提供稳定的信号传输。
    使用建议
    1. 在脉冲模式下,确保负载匹配良好以最大化输出功率和效率。
    2. 配置适当的散热设计,确保器件结温不超过 225°C。
    3. 使用时需注意 ESD 保护措施,防止静电损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 可与同类 NXP 射频器件无缝协作,如 MMRF1300H 系列。
    - 支持多种封装形式(如 SMD 和引线型),方便不同设计需求。
    支持和服务
    - Freescale 提供详尽的技术文档和参考设计。
    - 可通过官方支持平台获得硬件和软件的长期技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 输出功率不足 | 检查输入信号强度及匹配网络配置 |
    | 设备过热 | 改进散热设计或降低工作占空比 |
    | ESD 损坏 | 添加外部保护电路或操作时佩戴防静电手环 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    MMRF1314H 系列产品凭借其出色的性能、高鲁棒性和易用性,在高频雷达和通信领域表现出色。它不仅满足军用标准的苛刻要求,还具备商用级性价比。
    推荐结论
    对于需要高可靠性、高效率且支持脉冲工作的射频放大器,MMRF1314H 系列产品是一个非常值得推荐的选择。同时,建议根据具体应用场景定制合适的散热和匹配方案,以充分发挥其潜力。

MMRF1314GSR5参数

参数
Vgs-栅源极电压 6V,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 2
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 -500mV,105V
最大功率耗散 909W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 2.6A
通用封装 NI-1230-4S
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MMRF1314GSR5厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

MMRF1314GSR5数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS MMRF1314GSR5 MMRF1314GSR5数据手册

MMRF1314GSR5封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 505.2443 ¥ 4294.5761
250+ $ 485.0345 ¥ 4122.7931
500+ $ 464.8247 ¥ 3951.01
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