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BF998R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 2W 6V 700mV@ 250uA 27nC@ 4.5V 20V 29mΩ@ 6A,4.5V 6.6A;5.3A 900pF@15V 贴片安装
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供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BF998R

BF998R概述


    产品简介


    BF998 和 BF998R 系列:硅 N 通道双栅 MOS-FET
    BF998 和 BF998R 是硅 N 通道双栅 MOS-FET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高频通信和电视调谐应用。这些 MOS-FET 采用塑料微型封装,提供源极和衬底互连,并且具有内置的反向并联二极管来保护输入端子免受电压瞬变的影响。它们适用于 VHF(甚高频)和 UHF(特高频)频率范围内的应用,例如电视调谐器和专业通信设备。

    技术参数


    快速参考数据
    - VDS(漏源电压): -12 V
    - ID(漏电流): -30 mA
    - 总功率耗散(Ptot): -200 mW
    - 前向转移导纳(|yfs|): 24 mS
    - 输入电容(Cig1-s): 2.1 pF
    - 反向转移电容(Crs): 25 fF
    - 噪声系数(F): 1 dB @ 800 MHz
    极限值
    - VDS(漏源电压): -12 V
    - ID(漏电流): -30 mA
    - G1 门极电流: ±10 mA
    - G2 门极电流: ±10 mA
    - 总功率耗散(Ptot): -200 mW @ 60°C
    - 存储温度范围: -65°C 到 +150°C
    - 工作结温范围: -150°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 短沟道晶体管: 高前向转移导纳对输入电容比,适合高频放大应用。
    - 低噪声增益控制放大器: 频率高达 1 GHz。
    - 内置保护: 内置背对背二极管保护输入端子免受静电放电。
    - 反向并联二极管: 提供额外的过压保护。
    - 适用广泛: 适用于 VHF 和 UHF 频段的应用,如电视调谐器和专业通讯设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电视调谐器: BF998 和 BF998R 常用于 TV 调谐器,特别是在 12 V 电源电压下。
    2. 专业通讯设备: 这些 MOS-FET 在专业通信设备中也有广泛应用,尤其是在需要高增益和低噪声性能的场合。
    使用建议
    - 布局和布线: 在 PCB 布局时,应确保 BF998 和 BF998R 的信号线保持尽可能短,以减少寄生电容和干扰。
    - 电源去耦: 使用适当的旁路电容(如 1 nF 或 10 pF)来稳定电源电压,避免电压波动影响 MOS-FET 的性能。
    - 热管理: 根据功率耗散曲线图,合理选择散热方式,确保器件在安全的工作温度范围内运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: BF998 和 BF998R 可以与其他 N 通道 MOS-FET 一起使用,但需要注意不同的引脚配置和电气特性。
    - 支持: NXP 提供详细的技术支持文档,包括安装指南、数据表和应用笔记。此外,客户还可以通过 NXP 官方网站获取最新的产品信息和支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 静电损坏: 在运输和处理过程中,必须保护门极-源极输入端口不受静电放电影响。建议使用防静电包装和接地腕带。
    2. 功率耗散: 如果器件的功率耗散超过规定值,可以考虑增加散热片或改善 PCB 散热设计。
    3. 噪声问题: 通过优化电路布局和增加滤波电容,可以有效降低噪声。

    总结和推荐



    总结


    BF998 和 BF998R 是高性能的硅 N 通道双栅 MOS-FET,适用于 VHF 和 UHF 频段的高频应用。它们具备高前向转移导纳、低噪声增益控制能力和良好的静电保护能力。通过合理的电路设计和热管理,可以充分发挥其性能优势。
    推荐
    强烈推荐 BF998 和 BF998R 用于电视调谐器和专业通信设备。尽管这些器件在某些极端条件下可能会存在风险,但在常规应用中,它们表现出色,具有很高的可靠性。为了确保最佳性能,建议在设计时仔细遵循推荐的应用指导和技术规范。

BF998R参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 900pF@15V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 6.6A;5.3A
Vgs-栅源极电压 6V
最大功率耗散 2W
栅极电荷 27nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 6A,4.5V
通道数量 -
FET类型 -
3mm(Max)
1.4mm(Max)
1.1mm(Max)
安装方式 贴片安装

BF998R厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BF998R数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BF998R BF998R数据手册

BF998R封装设计

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