处理中...

首页  >  产品百科  >  BLF6G10LS-200RN

BLF6G10LS-200RN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 13V 2.4V 1个N沟道 65V 93mΩ@ 6.15V 49A FP 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BLF6G10LS-200RN

BLF6G10LS-200RN概述


    产品简介


    BLF6G10-200RN 和 BLF6G10LS-200RN

    产品简介


    BLF6G10-200RN 和 BLF6G10LS-200RN 是用于基站应用的200瓦低驱动场效应功率晶体管(LDMOS),工作频率范围为700 MHz至1000 MHz。这类器件广泛应用于GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站,以及这一频段内的多载波应用。产品符合RoHS标准,确保其对环境友好。

    技术参数


    - 供电电压: 28 V
    - 漏极电流 (IDq): 1400 mA
    - 最大漏源电压 (VDS): 65 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±13 V
    - 最高温度: 储存温度-65°C 至 150°C;结温-225°C
    - 最大输出功率 (PL(AV)): 40 W
    - 功率增益 (Gp): 20 dB
    - 效率 (ηD): 28.5%
    - 相邻信道功率比 (ACPR): -39 dBc
    - 耐受负载失配: VSWR = 10:1,具备较强的抗负载变化能力
    - 热阻: Rth(j-case) = 0.50 K/W (BLF6G10-200RN), Rth(j-case) = 0.35 K/W (BLF6G10LS-200RN)

    产品特点和优势


    - 易于功率控制: 简化了功率管理,降低了系统复杂度。
    - 集成ESD保护: 减少了静电放电带来的损害风险。
    - 增强的耐用性: 能够承受较大的负载变化,提升了可靠性。
    - 高效率: 在高频通信中实现更高的能量转换效率。
    - 卓越的热稳定性: 适用于长时间工作环境。
    - 宽带操作: 适用于广泛的频率范围。
    - 内部匹配: 方便使用,减少了外部匹配电路的需求。
    - 环保设计: 符合RoHS标准,确保绿色生产。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 无线通信基站: 广泛应用于移动通信网络中的基站设备。
    - 多载波系统: 支持多个载波同时运行,提高数据传输速率。

    使用建议
    - 优化散热: 由于工作过程中会产生大量热量,建议使用有效的散热措施,如散热片或散热风扇,以保持良好的热稳定性和延长使用寿命。
    - 避免过压: 确保供电电压不超过28V,以免损坏器件。
    - 正确接地: 防止信号干扰和噪声污染,确保系统稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 产品兼容多种通信标准,如GSM、W-CDMA和CDMA。
    - 支持服务: 客户可获得来自制造商的技术支持,包括使用指导、故障排查及维修服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 电源电压过高 | 确保供电电压不超过28V,否则会损坏器件。 |
    | 产品发热严重 | 检查散热系统是否正常工作,必要时增加散热措施。 |
    | 输出功率不稳定 | 重新检查电路连接,确保接线正确无误。 |

    总结和推荐


    BLF6G10-200RN 和 BLF6G10LS-200RN 是专为基站应用设计的高性能低驱动场效应功率晶体管。凭借其优异的性能指标和坚固的设计,使其在无线通信行业中具有很强的竞争力。此外,产品的兼容性和环保特性也为客户提供了更多选择。强烈推荐使用此款产品来提升无线通信系统的整体性能和稳定性。

BLF6G10LS-200RN参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 13V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V
Rds(On)-漏源导通电阻 93mΩ@ 6.15V
Id-连续漏极电流 49A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 65V
20.7mm(Max)
9.91mm(Max)
4.72mm(Max)
通用封装 FP
安装方式 贴片安装

BLF6G10LS-200RN厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BLF6G10LS-200RN数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BLF6G10LS-200RN BLF6G10LS-200RN数据手册

BLF6G10LS-200RN封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336