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BUK9880-55A,115

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 8W(Tc) 2V@1mA 11nC@ 5 V 1个N沟道 55V 73mΩ@ 8A,10V 584pF@25V SC-73 贴片安装
供应商型号: 568-9715-6-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BUK9880-55A,115

BUK9880-55A,115概述

    BUK9880-55A N-channel TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管

    1. 产品简介


    BUK9880-55A 是一款采用塑料封装、基于TrenchMOS技术的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。该产品已按照适用的AEC标准设计和认证,适用于汽车关键应用。

    2. 技术参数


    以下是从手册中提取的关键技术参数:
    - 电压规格:
    - 栅源电压 (VGS): -15 V 至 +15 V
    - 漏源电压 (VDS): -55 V 至 +55 V
    - 最大总功率耗散 (Ptot): 8 W
    - 电流规格:
    - 漏极电流 (ID): 最大 7 A (Tsp = 25 °C)
    - 峰值漏极电流 (IDM): 30 A (脉冲,tp ≤ 10 μs)
    - 静态特性:
    - 漏源导通电阻 (RDSon):
    - VGS = 10 V, ID = 8 A, Tj = 25 °C: 62 至 73 mΩ
    - VGS = 5 V, ID = 8 A, Tj = 25 °C: 68 至 80 mΩ
    - 置换击穿电压 (V(BR)DSS):
    - VGS = 0 V, Tj = -55 °C: 50 V
    - VGS = 0 V, Tj = 25 °C: 55 V
    - 热特性:
    - 结点至焊点热阻 (Rth(j-sp)): 最大 15 K/W
    - 结点至环境热阻 (Rth(j-a)): 最大 120 K/W
    - 动态特性:
    - 总栅极电荷 (QG(tot)): 11 nC
    - 输入电容 (Ciss): 438 至 584 pF
    - 输出电容 (Coss): 87 至 104 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 62 至 85 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通损耗:由于导通电阻 (RDSon) 较低(在VGS = 5 V时为68至80 mΩ),因此可以显著降低电路的能耗。
    - Q101合规性:满足严格的行业标准要求。
    - 适合逻辑电平门驱动源:易于集成到现有的逻辑电平电路中。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 适用于12 V和24 V负载,如汽车和通用电源开关。
    - 广泛用于电机、灯和电磁阀的控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑选择适当的散热措施以确保安全工作范围内的最大温度。
    - 针对高电流应用,建议进行详细的热仿真和测试以验证器件的安全工作区域。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BUK9880-55A可以与其他标准N沟道场效应晶体管(例如常用的其他TrenchMOS器件)互换使用。
    - 支持:Nexperia提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括产品手册和应用指南,以帮助用户解决使用过程中的任何问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 导通电阻过高怎么办?
    - A: 检查门极电压 (VGS) 是否达到足够高的水平以确保低RDSon。
    - Q: 如何避免过热问题?
    - A: 选择合适的散热措施,例如增加散热片或提高冷却效率,确保器件在工作范围内运行。
    - Q: 如何处理峰值电流问题?
    - A: 使用适当的电路设计来限制峰值电流,例如在栅极添加适当的限流电阻。

    7. 总结和推荐


    综上所述,BUK9880-55A是一款高性能、可靠的N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管,具有低导通损耗、适合作为逻辑电平驱动源的优点。它广泛应用于汽车和通用电源转换领域,适合需要高性能和可靠性的设计。我们强烈推荐该产品用于相关应用。在使用过程中,请注意遵守手册中的指导并参考Nexperia提供的详细文档和应用指南。

BUK9880-55A,115参数

参数
配置 -
栅极电荷 11nC@ 5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@ 8A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 584pF@25V
最大功率耗散 8W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 55V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SC-73
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

BUK9880-55A,115厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BUK9880-55A,115数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BUK9880-55A,115 BUK9880-55A,115数据手册

BUK9880-55A,115封装设计

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