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MRF6S20010GNR1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 500mV,12V 1个N沟道 68V 0.12pF@ 28V TO-270-2 贴片安装 9.7mm*6.15mm*2.08mm
供应商型号: CY-MRF6S20010GNR1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) MRF6S20010GNR1

MRF6S20010GNR1参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 68V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
配置 独立式
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 0.12pF@ 28V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 500mV,12V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 9.7mm*6.15mm*2.08mm
通用封装 TO-270-2
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

MRF6S20010GNR1厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

MRF6S20010GNR1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS MRF6S20010GNR1 MRF6S20010GNR1数据手册

MRF6S20010GNR1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 32.7086 ¥ 264.9666
25+ $ 31.357 ¥ 260.3982
50+ $ 30.0054 ¥ 255.8298
100+ $ 29.4648 ¥ 253.5456
300+ $ 29.1944 ¥ 251.2614
500+ $ 28.9241 ¥ 248.9772
1000+ $ 28.1132 ¥ 237.5562
5000+ $ 28.1132 ¥ 237.5562
库存: 638
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