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PSMN4R8-100BSEJ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 405W(Tc) 20V 4V@1mA 278nC@ 10 V 1个N沟道 100V 4.8mΩ@ 25A,10V 120A 14.4nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: AV-S-PHSPSMN4R8100BSEJ
供应商: Avnet
标准整包数: 800
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ概述

    PSMN4R8-100BSE:一款高效能N沟道MOSFET

    产品简介


    PSMN4R8-100BSE是一款由Nexperia公司生产的N沟道标准等级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具备100V耐压能力及4.8mΩ导通电阻(RDS(on))。其采用D2PAK封装形式,适用于高电流密度的应用场景。这款MOSFET特别设计用于电信系统,尤其是基于48V背板或供电轨的应用。

    技术参数


    以下是PSMN4R8-100BSE的主要技术规格和性能参数:
    - 漏源电压(VDS):最大值为100V
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):707A(单次脉冲)
    - 总功率耗散(Ptot):405W(环境温度为25°C)
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为4.8mΩ(在VGS = 10V、ID = 25A、环境温度为25°C条件下)
    - 门极电荷(QG(tot)):196nC至278nC(在VGS = 10V、ID = 25A、VDS = 50V条件下)
    - 热阻:从结点到散热基座的热阻(Rth(j-mb))为0.3至0.37 K/W;从结点到环境的热阻(Rth(j-a))为50 K/W
    - 反向转移电容(Crss):459pF至643pF(在VDS = 50V、VGS = 0V、频率为1MHz条件下)

    产品特点和优势


    1. 增强型正向偏置安全工作区:提供了优异的线性模式操作性能。
    2. 超低导通电阻:在低导通损耗方面表现优异,有助于降低温度并提高效率。

    应用案例和使用建议


    PSMN4R8-100BSE主要应用于电子熔断器、热插拔控制器、负载开关及软启动电路。其在实际应用中的优势显著,尤其是在需要处理大电流的情况下。建议用户在应用过程中充分考虑其热管理要求,以确保长期稳定运行。对于需要更高性能的应用场合,可以考虑辅助散热措施如添加散热片或散热器。

    兼容性和支持


    该产品与其他符合D2PAK封装标准的电子元器件具有良好的兼容性。Nexperia公司提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的技术文档和故障排除指南,以确保客户能够充分利用产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:建议根据具体的驱动电路选择适合的VGS值。一般情况下,VGS应大于阈值电压VGS(th),同时不应超过规定的最大值20V。

    - 问题:如何避免过热损坏?
    - 解决方案:合理布置散热结构,使用适当的冷却方式(如散热片或散热风扇),确保结点温度不超过额定的最大值175°C。

    总结和推荐


    PSMN4R8-100BSE凭借其卓越的电气特性和广泛的应用范围,在高电流密度的电力转换和控制领域表现出色。特别是在电信系统中,它为用户提供了一个可靠且高效的解决方案。鉴于其强大的性能和灵活性,强烈推荐在需要高性能N沟道MOSFET的应用中使用此产品。

PSMN4R8-100BSEJ参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.4nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 405W(Tc)
栅极电荷 278nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 4.8mΩ@ 25A,10V
10.3mm(Max)
9.4mm(Max)
4.5mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PSMN4R8-100BSEJ厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PSMN4R8-100BSEJ数据手册

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PSMN4R8-100BSEJ封装设计

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