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PSMN1R0-30YLD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 238W 20V 2.2V 81nC@ 10V 1个N沟道 30V 1.02mΩ@ 10V 5.732nF@ 15V LFPAK 贴片安装 1.1mm(高度)
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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PSMN1R0-30YLD

PSMN1R0-30YLD概述

    Nexperia PSMN1R0-30YLD MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    Nexperia PSMN1R0-30YLD 是一款专为高效率设计的低压N沟道增强型逻辑电平功率场效应晶体管(MOSFET),采用LFPAK56封装技术。该产品特别适用于需要高开关频率和高电流处理能力的应用场景,如服务器、电信设备、电压调节模块(VRM)以及电源管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | 25°C ≤ Tj ≤ 175°C | - | - | 30 | V |
    | ID | 漏极电流 | Tmb = 25°C; VGS = 10V | - | - | 300 | A |
    | Ptot | 总功率耗散 | Tmb = 25°C; 图1 | - | - | 238 | W |
    | Tj | 结温 | -55 | - | 175 | °C |
    | RDSon | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V; ID = 25A; Tj = 25°C | - | 1 | 1.3 | mΩ |
    | QGD | 栅漏电荷 | VGS = 4.5V; ID = 25A; VDS = 15V | - | 10.9 | 16.35 | nC |
    | QG(tot) | 总栅电荷 | VGS = 4.5V; ID = 25A; VDS = 15V | - | 38.2 | 57.3 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 300A 高电流能力:在极端条件下依然能够提供强大的电流输出。
    - 雪崩测试合格:100% 测试在 I(as) = 190A 下进行。
    - 超低栅电荷和总电荷:特别适合高频工作,提高系统整体效率。
    - 超级快速开关:软恢复,s因子 > 1。
    - 低电磁干扰设计:低过冲和振铃现象。
    - “SchottkyPlus”技术:在 25°C 时泄漏电流小于 1 µA。
    - 低寄生电感和电阻:提高了可靠性,无胶水和无焊线连接。
    - 高可靠性焊接封装:通过了 175°C 的热循环测试。
    - 焊锡波焊适用:外部引脚便于视觉检测。

    4. 应用案例和使用建议


    - 板载DC到DC转换器:用于服务器和通信设备。
    - 二次侧同步整流:在通信应用中提供高效电源管理。
    - 电压调节模块 (VRM) 和 点对点 (POL) 模块:用于CPU、ASIC、DDR、GPU等。
    - 电源OR-ing:用于电机控制和其他电力应用。
    - 推荐使用建议:确保良好的散热设计,选择合适尺寸的PCB以满足散热需求;结合具体应用考虑封装大小和布局优化。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他标准电源管理和通信设备具有良好的兼容性。厂家提供了详尽的技术文档和测试报告,同时提供长期的产品技术支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定正确的电路布局?
    - 解决方案:参考官方提供的PCB布局图和布局建议,确保良好的散热设计。
    - 问题2:如何测试漏源电压?
    - 解决方案:使用标准的电压测试工具,在规定的条件下进行测试。

    7. 总结和推荐


    Nexperia PSMN1R0-30YLD MOSFET是一款集高效率、低功耗、快速开关和高可靠性于一体的高性能产品。适用于各种高要求的电源管理和电机控制系统,其优秀的技术指标使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐给需要高性能MOSFET的应用场合。

PSMN1R0-30YLD参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.02mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
配置 独立式withbuilt-indiode
最大功率耗散 238W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.732nF@ 15V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 81nC@ 10V
通道数量 -
长*宽*高 1.1mm(高度)
通用封装 LFPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

PSMN1R0-30YLD厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PSMN1R0-30YLD数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PSMN1R0-30YLD PSMN1R0-30YLD数据手册

PSMN1R0-30YLD封装设计

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