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PSMN2R4-30YLD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 106W 20V 2.2V 31.3nC@ 10V,29.3nC@ 10V,16.2nC@ 4.5V 1个N沟道 30V 2.4mΩ@ 10V 625A 2.256nF@ 15V LFPAK 导线安装,贴片安装
供应商型号: 14M-PSMN2R4-30YLD
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PSMN2R4-30YLD

PSMN2R4-30YLD概述

    PSMN2R4-30YLD N-channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    PSMN2R4-30YLD 是一款采用 Nexperia 的 NextPowerS3 技术制造的 N 沟道增强型 MOSFET。该产品具有 30V 的耐压能力和 2.4mΩ 的极低导通电阻,适用于逻辑电平驱动。产品封装形式为 LFPAK56,具备超低的 QG、QGD 和 QOSS 等特性,使其在高频率开关应用中表现出色。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C | - | - | 30 | V |
    | ID | 漏电流 | Tmb = 25 °C; VGS = 10 V | - | - | 100 | A |
    | Ptot | 总功耗 | Tmb = 25 °C | - | - | 106 | W |
    | Tj | 结温 | -55 | - | 175 | °C |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 4.5 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C | - | 2.7 | 3.1 | mΩ |

    产品特点和优势


    - 超低栅源电荷:低 QG、QGD 和 QOSS 有助于提高系统效率,尤其是在高频应用中。
    - 高速软恢复:软度因子 s > 1,实现了快速无损恢复。
    - 低干扰设计:低尖峰和振铃,减少电磁干扰(EMI)。
    - 独特的“SchottkyPlus”技术:在 25°C 下漏电流小于 1µA,具备肖特基二极管般的性能。
    - 优化的 4.5V 门驱动:适用于广泛的驱动电压范围。
    - 低寄生电感和电阻:提升了电路的整体可靠性。

    应用案例和使用建议


    PSMN2R4-30YLD 主要应用于以下场景:
    - 服务器和通信领域的板载直流到直流转换器。
    - 电信应用中的次级侧同步整流。
    - 电压调节模块(VRM)和点负载(POL)模块。
    - CPU 内核、ASIC、DDR、GPU、VGA 及其他系统组件的电源管理。
    - 有刷和无刷电机控制。
    建议在使用时确保正确的电路布局以提高热管理效果,避免因温度过高导致的性能下降。参考手册中的电气特性和安全操作区图,合理设置工作参数以确保设备稳定运行。

    兼容性和支持


    PSMN2R4-30YLD 支持焊接过程,并且有清晰的引脚定义,方便安装。Nexperia 提供了详细的订购和标记信息,便于采购和追踪。此外,厂商还提供可靠的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下性能下降 | 使用合理的散热措施,如增加散热片或优化 PCB 布局。 |
    | 开关频率过快导致功耗增加 | 调整门驱动电压,降低开关频率,减小损耗。 |
    | 电源电压不稳定 | 使用稳压电源,确保供电稳定,避免电压波动对 MOSFET 的影响。 |

    总结和推荐


    PSMN2R4-30YLD 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET。其出色的低导通电阻、高效率和优良的高频性能使其在多种应用场景中表现出色。对于需要高效、低损耗的应用,该产品是一个理想的选择。强烈推荐在服务器、通信设备及各类电子控制系统中使用 PSMN2R4-30YLD。

PSMN2R4-30YLD参数

参数
配置 独立式withbuilt-indiode
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 625A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.256nF@ 15V
最大功率耗散 106W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
栅极电荷 31.3nC@ 10V,29.3nC@ 10V,16.2nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 10V
通用封装 LFPAK
安装方式 导线安装,贴片安装
零件状态 在售

PSMN2R4-30YLD厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PSMN2R4-30YLD数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PSMN2R4-30YLD PSMN2R4-30YLD数据手册

PSMN2R4-30YLD封装设计

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1+ ¥ 3.9369
10+ ¥ 3.5779
30+ ¥ 2.8021
100+ ¥ 2.4779
300+ ¥ 2.3853
1500+ ¥ 2.3158
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