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PSMN4R8-100YSEX

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: Nexperia N沟道MOS管, Vds=100 V, 120 A, LFPAK56E封装, 表面贴装, 4引脚
供应商型号: PSMN4R8-100YSEX
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PSMN4R8-100YSEX

PSMN4R8-100YSEX概述

    Nexperia PSMN4R8-100YSE MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: Nexperia的PSMN4R8-100YSE是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了LFPAK56E封装。该产品专门针对“热插拔”控制器设计,适用于高可靠性要求的应用场景。
    主要功能:
    - 极低的导通电阻RDSon(4.8 mΩ)
    - 强大的线性模式操作能力
    - 增强的安全工作区(SOA)
    应用领域:
    - 热插拔
    - 负载开关
    - 软启动
    - 电子保险丝(E-fuse)
    - 基于48V背板/供电轨的电信系统

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | 漏源电压 | 25°C ≤ Tj ≤ 175°C | - | - | 100 V |
    | ID | 漏电流 | VGS = 10 V; Tmb = 25°C; Fig. 2 | - | - | 120 A |
    | Ptot | 总功耗 | Tmb = 25°C; Fig. 1 | - | - | 294 W |
    | Tj | 结温 | -55 - 175 °C | - | - | °C |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25°C; Fig. 12 | - | 3.6 - 4.8 mΩ |
    | QG(tot) | 总栅极电荷 | ID = 25 A; VDS = 50 V; VGS = 10 V; Tj = 25°C; Fig. 14; Fig. 15 | 40 | 80 | 120 nC |

    3. 产品特点和优势


    - 安全工作区(SOA)优化: 高效的线性模式操作,能够承受显著的涌入电流。
    - 超低RDSon: 低至4.8 mΩ的导通电阻,减小了I²R损耗,提高效率。
    - 高可靠性LFPAK56E封装: 在30 mm²的紧凑尺寸内提供最高的性能和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 热插拔: 高可靠性的应用,如服务器、通信设备。
    - 负载开关: 用于需要高效率的应用,如电源管理。
    使用建议:
    - 散热设计: 使用大铜面积散热器以减少热阻。
    - 电路布局: 采用正确的PCB布局,确保良好的电气连接和散热。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品具有高度的互换性,可以轻松替代现有D2PAK类型的产品,减少设计更改。
    支持:
    - Nexperia提供了详尽的技术支持,包括数据手册、设计指南和样品申请服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 导通电阻变化: 在高温环境下,RDSon可能略有增加。
    - 栅极电荷: 总栅极电荷较大,需要注意驱动电路的设计。
    解决方案:
    - 导通电阻变化: 设计时考虑温度对RDSon的影响,适当调整工作温度范围。
    - 栅极电荷: 使用适当的栅极驱动器,确保快速、准确的开关控制。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - PSMN4R8-100YSE MOSFET在低RDSon和高可靠性方面表现优异,适用于各种高要求的应用场合。
    - 其独特的安全工作区和高性能封装使其在市场上具有很强的竞争优势。
    推荐:
    - 强烈推荐使用Nexperia PSMN4R8-100YSE MOSFET,特别是在需要高可靠性和低功耗的场合。尽管价格可能略高于普通产品,但其卓越的性能和可靠性将为终端用户提供更高的价值。

PSMN4R8-100YSEX参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V@1mA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.29nF@50V
栅极电荷 120nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.8mΩ@ 25A,10V
配置 -
最大功率耗散 294W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 LFPAK-56E
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PSMN4R8-100YSEX厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PSMN4R8-100YSEX数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSEX数据手册

PSMN4R8-100YSEX封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ ¥ 13.2132
3000+ ¥ 12.993
6000+ ¥ 12.7728
12000+ ¥ 12.5525
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起订量: 1500 增量: 1500
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