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PMPB20XNEAX

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 460mW(Ta),12.5W(Tc) 12V 1.25V@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 20mΩ@ 7.5A,4.5V 7.5A 930pF@10V DFN-2020MD-6 贴片安装
供应商型号: 2900297
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMPB20XNEAX

PMPB20XNEAX概述

    PMPB20XNEA: 20 V N-Channel Trench MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型:PMPB20XNEA 是一款采用无引脚中功率DFN2020MD-6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET),利用了沟槽MOSFET技术。
    主要功能:适用于高压应用的低阈值电压,超快开关速度,并具备静电放电(ESD)保护能力。
    应用领域:广泛应用于继电器驱动、高速线路驱动、低侧负载开关以及开关电路。

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | - | - | - | 20 | V |
    | VGS | 栅源电压 | Tj = 25°C | -12 | - | 12 | V |
    | ID | 漏极电流 | VGS = 4.5V; Tamb = 25°C | - | - | 7.5 | A |
    | RDSon | 漏源导通电阻 | VGS = 4.5V; ID = 7.5A; Tj = 25°C | - | 16 | 20 | mΩ |
    | IDM | 峰值漏极电流 | Tamb = 25°C; 单脉冲; tp ≤ 10 μs | - | - | 30 | A |
    | EDS(AL)S | 非重复性漏源雪崩能量 | Tj(init) = 25°C; ID = 1.3A; DUT在雪崩(未钳位)状态 | - | - | 13 | mJ |
    | TAMB | 环境温度 | - | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 低阈值电压
    - 超快开关速度
    - 沟槽MOSFET技术
    - ESD保护 > 2 kV HBM
    - 符合AEC-Q101标准
    优势:
    - 适合在高可靠性要求的应用中使用,如汽车领域
    - 在高压应用中表现优异
    - 极低的导通电阻,提升系统效率

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 继电器驱动
    - 高速线路驱动
    - 低侧负载开关
    - 开关电路
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议将设备安装在单面铜板上,具有锡镀层,并且具有6cm²的焊盘。
    - 应避免过载操作,特别是在高温条件下。
    - 可通过合理的设计降低热阻,提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品兼容所有符合DFN2020MD-6封装标准的设备,适合于多种应用场景。
    支持:
    - Nexperia提供详尽的技术文档和全面的支持服务,以帮助客户快速集成和优化其设计。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 增加散热片或采用更好的散热材料 |
    | 导通电阻增加 | 确保良好的焊接连接并遵守安装规范 |
    | ESD损坏 | 使用保护电路或增加保护元件 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    PMPB20XNEA作为一款N沟道沟槽MOSFET,具有低阈值电压、超快开关速度和强大的ESD保护能力,适用于各种高压应用场景。其优越的性能使其成为汽车电子和工业自动化领域的理想选择。
    推荐:
    鉴于其在高压应用中的卓越表现和广泛的适用性,我们强烈推荐使用PMPB20XNEA来实现高性能需求的电子系统设计。同时,我们建议详细阅读完整的产品数据手册,以充分利用其功能和优化应用设计。

PMPB20XNEAX参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
栅极电荷 15nC@ 4.5 V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 930pF@10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.25V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 7.5A,4.5V
最大功率耗散 460mW(Ta),12.5W(Tc)
配置 -
通用封装 DFN-2020MD-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

PMPB20XNEAX厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMPB20XNEAX数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMPB20XNEAX PMPB20XNEAX数据手册

PMPB20XNEAX封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.3258
1000+ ¥ 1.3258
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