处理中...

首页  >  产品百科  >  NX6008NBKR

NX6008NBKR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 270mW(Ta),1.3W(Tc) 8V 900mV@ 250µA 0.7nC@ 4.5 V 1个N沟道 60V 2.8Ω@ 300mA,4.5V 270mA 27pF@30V TO-236AB 贴片安装
供应商型号: AV-S-NXENX6008NBKR
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NX6008NBKR

NX6008NBKR概述

    NX6008NBK 60 V N-channel Trench MOSFET 技术手册

    产品简介


    NX6008NBK 是一款60 V N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小型SOT23表面贴装封装,并采用沟槽式MOSFET技术制造。该器件广泛应用于各类电路设计中,特别是那些需要快速开关性能的应用。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 栅极-源极电压(VGS):-8 至 8 V
    - 漏极-源极电压(VDS):最高 60 V
    - 漏极电流(ID):270 mA @ VGS = 4.5 V, Tamb = 25°C
    - 高峰漏极电流(IDM):1 A
    - 最大总功率耗散(Ptot):1.3 W
    - 热阻抗(Rth(j-a)):410-470 K/W(自由空气)

    - 静态特性:
    - 漏源导通电阻(RDSon):2.8 Ω @ VGS = 4.5 V,ID = 300 mA,Tj = 25°C

    - 动态特性:
    - 总栅极电荷(QG(tot)):0.5-0.7 nC
    - 输入电容(Ciss):27 pF
    - 输出电容(Coss):2.9 pF
    - 反向传输电容(Crss):1.9 pF
    - 极限值:
    - 存储温度范围(Tstg):-65 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 低阈值电压:保证了更低的开关损耗和更高效的性能。
    2. 快速开关能力:适合于高速信号处理和高频应用。
    3. 高静电放电保护:> 2 kV HBM,提高了器件的可靠性和寿命。
    4. 先进工艺技术:采用沟槽式MOSFET技术,确保了卓越的性能和长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 继电器驱动:适用于快速切换继电器的电路。
    - 高速线路驱动:适合用于高速通信线路。
    - 低侧负载开关:适用于控制直流电机或电磁阀。
    - 开关电路:广泛应用于各种类型的开关电源中。

    - 使用建议:
    - 为了确保最佳性能,安装时请确保栅极-源极电压在规定的范围内。
    - 为避免过热,建议使用较大的散热片或散热板。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NX6008NBK 与大多数标准SOT23封装的电路板兼容。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助客户解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:漏极电流过大导致过热。
    - 解决方案:检查散热设计,必要时增加散热片或散热板。

    2. 问题:阈值电压不稳定。
    - 解决方案:确保良好的栅极驱动,避免输入电压波动过大。

    总结和推荐


    NX6008NBK 是一款优秀的60 V N沟道增强型MOSFET,具备出色的开关性能和可靠性。其低阈值电压和快速开关特性使其成为继电器驱动、高速线路驱动等应用的理想选择。通过严格的测试和验证,NX6008NBK 的性能稳定且可靠性高,值得在多种电子设备中广泛使用。因此,强烈推荐使用此产品。
    本手册提供详细的NX6008NBK N沟道Trench MOSFET的产品特性和技术规格,希望对您的项目有所帮助。如需更多信息或技术支持,请联系我们的销售团队。

NX6008NBKR参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 270mA
Vgs-栅源极电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 27pF@30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV@ 250µA
最大功率耗散 270mW(Ta),1.3W(Tc)
栅极电荷 0.7nC@ 4.5 V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 300mA,4.5V
通用封装 TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NX6008NBKR厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

NX6008NBKR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA NX6008NBKR NX6008NBKR数据手册

NX6008NBKR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
9000+ $ 0.0202 ¥ 0.1791
27000+ $ 0.0201 ¥ 0.1775
库存: 39000
起订量: 9000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:9000
合计: ¥ 1611.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831