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PMN48XP,125

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 530mW(Ta),6.25W(Tc) 12V 1.25V@ 250µA 13nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 55mΩ@ 2.4A,4.5V 4.1A 1nF@10V TSOP-6 贴片安装
供应商型号: AV-S-NXEPMN48XP125
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMN48XP,125

PMN48XP,125概述

    Nexperia PMN48XP P-Channel Enhancement Mode Field-Effect Transistor

    1. 产品简介


    PMN48XP 是一款采用小尺寸SOT457(SC-74)表面贴装封装的沟槽MOSFET技术制造的P沟道增强型场效应晶体管(P-FET)。这种类型的晶体管因其出色的性能和广泛的应用领域而受到青睐。以下是该产品的基本介绍:
    - 产品类型:P沟道增强型场效应晶体管
    - 主要功能:低导通电阻(RDSon),非常快的开关速度
    - 应用领域:继电器驱动器、高速线路驱动器、高边负载开关、开关电路

    2. 技术参数


    以下是PMN48XP的技术规格及性能参数:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDS | 漏源电压 | TJ = 25 °C | - | - | -20 | V |
    | VGS | 栅源电压 | - | -12 | - | 12 | V |
    | ID | 漏电流 | VGS = -4.5 V; Tamb = 25 °C [1] | - | - | -4.1 | A |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = -4.5 V; ID = -2.4 A; TJ = 25 °C | - | 48 | 55 | mΩ |
    该产品的其他详细参数还包括:
    - 峰值漏极电流(IDM):-20 A
    - 总功率耗散(Ptot):-530 mW(Tamb = 25 °C)
    - 热阻:
    - 结到环境热阻(Rth(j-a)):204 - 235 K/W(自由空气中)
    - 结到焊点热阻(Rth(j-sp)):17 - 20 K/W

    3. 产品特点和优势


    PMN48XP的主要优势如下:
    - 低RDSon:提供了非常低的导通电阻,有助于减少能量损耗。
    - 快速开关:具备非常快的开关能力,提高了整体系统的效率和响应速度。
    - 沟槽MOSFET技术:采用了先进的沟槽MOSFET技术,提升了可靠性。
    这些特点使PMN48XP在各种应用中表现出色,特别是在要求高效能和稳定性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    PMN48XP适用于多种场景,具体应用如下:
    - 继电器驱动器:利用其快速开关特性,可有效控制继电器的开启和关闭。
    - 高速线路驱动器:适用于需要高频信号传输的应用。
    - 高边负载开关:能够在高电压环境下稳定工作。
    - 开关电路:适用于各种开关电路的设计。
    使用建议:
    - 在设计时,应考虑电源电压(VDS)和栅源电压(VGS)范围,确保满足产品的工作条件。
    - 注意热管理,确保设备不会因过热而失效。

    5. 兼容性和支持


    PMN48XP采用标准的SOT457(TSOP6)封装,易于集成到现有系统中。对于客户支持和维护方面,Nexperia提供详尽的技术文档和客户服务支持,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案如下:
    - 问题1:温度过高导致性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用散热片或风扇进行主动冷却。
    - 问题2:漏电流过大
    - 解决方案:检查电路设计,确保符合额定电压和电流限制。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PMN48XP是一款高性能的P沟道增强型场效应晶体管。其低导通电阻和快速开关能力使其在多个应用领域表现卓越。同时,Nexperia提供了完善的客户支持和技术文档,方便用户进行设计和使用。因此,强烈推荐在需要高效能P-FET的应用中使用PMN48XP。

PMN48XP,125参数

参数
配置 独立式
Id-连续漏极电流 4.1A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.25V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 13nC@ 4.5 V
最大功率耗散 530mW(Ta),6.25W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@10V
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 2.4A,4.5V
通道数量 1
3.1mm(Max)
1.7mm(Max)
1mm(Max)
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMN48XP,125厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMN48XP,125数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMN48XP,125 PMN48XP,125数据手册

PMN48XP,125封装设计

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