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PMDT670UPE,115

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 500mW 8V 1.3V@ 250µA 1.14nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 850mΩ@ 400mA,4.5V 550mA 87pF@10V SOT-666 贴片安装
供应商型号: 2069555
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMDT670UPE,115

PMDT670UPE,115概述

    Nexperia PMDT670UPE: 20 V, 550 mA Dual P-Channel Trench MOSFET

    1. 产品简介


    基本介绍
    PMDT670UPE 是一款双沟道P沟道增强型场效应晶体管(P-FET),采用超小型平面引脚SOT666表面贴装设备(SMD)塑料封装。它利用了先进的沟槽MOSFET技术,为用户提供了极高的性能和可靠性。
    产品类型
    - 双P沟道增强型场效应晶体管(P-FET)
    - 封装类型:SOT666
    - 工作电压:最高20V
    - 最大电流:550mA
    主要功能
    - 快速开关特性
    - 高集成度和紧凑设计
    - 静态电阻低
    - 耐高压能力
    - 适用于多种高速驱动场景
    应用领域
    - 继电器驱动
    - 高速线驱动
    - 高边负载开关
    - 开关电路
    - 汽车电子控制单元
    - 消费电子设备

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | 漏源电压 | TJ = 25 °C | - | - | -20 | V |
    | VGS | 栅源电压 | -8 | - | 8 | V |
    | ID | 漏极电流 | VGS = -4.5 V; Tamb = 25 °C | - | - | -550 | mA |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = -4.5 V; ID = -400 mA; TJ = 25 °C | - | 0.67 | 0.85 | Ω |

    3. 产品特点和优势


    - 快速切换特性:该器件能够提供快速的开关响应,从而减少电路延迟。
    - 耐高压能力:能够承受高达20V的漏源电压,适合高压应用场合。
    - 低导通电阻:在-4.5V栅源电压下,导通电阻低至0.67Ω,有效减少功耗。
    - ESD保护:具有高达2kV的HBM(人体模型)静电放电保护,确保产品的稳定性和耐用性。
    - 认证资格:符合AEC-Q101标准,适用于汽车和其他高可靠性要求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 继电器驱动:用于需要快速响应的继电器驱动电路中,实现高效、可靠的开关控制。
    2. 高边负载开关:适用于需要高边驱动的应用,如电源管理和电机控制。
    3. 高速线驱动:在高频信号传输中,提供稳定且高效的驱动性能。
    使用建议
    - 确保驱动电路中的栅极电压在-8V到+8V之间,避免超出最大额定值导致器件损坏。
    - 使用合适的散热措施以保证器件的工作温度不超过最大值150°C,避免热击穿。
    - 注意焊接过程中的热管理,避免因过热而影响器件性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    PMDT670UPE与各种标准电路板兼容,易于集成。此外,它还可以与其他同类器件配合使用,以构建复杂的电路系统。
    厂商支持
    - 详细的技术文档和支持资料可以在官方网站下载。
    - 客户技术支持服务,解答技术咨询和故障排除问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 高温环境下性能下降:可能由于工作温度超过最大限制导致。
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如增加散热片或者使用更高性能的散热材料。
    2. 过载烧毁:由于长时间工作在过载状态下导致。
    - 解决办法:合理设计电路,限制器件的最大工作电流,并预留足够的安全余量。

    7. 总结和推荐


    PMDT670UPE 是一款性能优异、可靠稳定的双P沟道增强型场效应晶体管。它以其快速切换、高耐压能力和低导通电阻等显著优势,在多种应用场合中表现出色。无论是作为继电器驱动还是高边负载开关,该器件都能提供卓越的表现。因此,我们强烈推荐将PMDT670UPE用于对性能要求较高的场合,特别是在汽车电子和消费电子领域。
    参考文献
    - Nexperia PMDT670UPE 产品数据手册,修订版1,发布日期:2011年9月13日。

PMDT670UPE,115参数

参数
最大功率耗散 500mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 87pF@10V
Vgs-栅源极电压 8V
FET类型 2个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 400mA,4.5V
Id-连续漏极电流 550mA
栅极电荷 1.14nC@ 4.5V
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V@ 250µA
配置
Vds-漏源极击穿电压 20V
1.7mm(Max)
1.3mm(Max)
600μm(Max)
通用封装 SOT-666
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

PMDT670UPE,115厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMDT670UPE,115数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMDT670UPE,115 PMDT670UPE,115数据手册

PMDT670UPE,115封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 1.069
100+ ¥ 0.9029
500+ ¥ 0.8668
1000+ ¥ 0.7946
5000+ ¥ 0.7946
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