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BSN20BK

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: N 通道 60V 265mA(Ta)TO-236AB
供应商型号: 11M-BSN20BK
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) BSN20BK

BSN20BK概述

    Nexperia BSN20BK 60 V N-channel Trench MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    Nexperia 的 BSN20BK 是一款 N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用小尺寸的 SOT23(TO-236AB)表面贴装塑料封装。它利用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造。
    主要功能:
    - 支持逻辑电平驱动
    - 非常快的开关速度
    - 具备静电放电(ESD)保护
    应用领域:
    - 继电器驱动
    - 高速线驱动
    - 低侧负载开关
    - 开关电路

    2. 技术参数


    电气特性:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 最大值 60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): 最小值 -20 V,最大值 20 V
    - 漏极电流 \( ID \):
    - \( V{GS} = 10 \text{V} \),\( T{amb} = 25 \text{°C} \):最大值 265 mA
    - \( V{GS} = 10 \text{V} \),\( T{sp} = 25 \text{°C} \):最大值 330 mA
    - 漏源导通电阻 \( R{DSon} \):
    - \( V{GS} = 10 \text{V} \),\( ID = 200 \text{mA} \),\( Tj = 25 \text{°C} \):典型值 2.1 Ω,最大值 2.8 Ω
    工作环境:
    - 结温 \( Tj \): 最小值 -55°C,最大值 150°C
    - 环境温度 \( T{amb} \): 最小值 -55°C,最大值 150°C
    - 存储温度 \( T{stg} \): 最小值 -65°C,最大值 150°C

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 逻辑电平兼容,可直接与数字电路接口
    - 极高的开关速度,适用于高速应用
    - 使用沟槽式 MOSFET 技术,确保高效能和高可靠性
    - 内置 ESD 保护,达到 2 kV HBM 标准,提高器件寿命

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 继电器驱动: 在需要快速响应的应用中,如工业自动化控制。
    - 高速线驱动: 适合高速信号传输,保证信号完整性。
    - 低侧负载开关: 在电池供电系统中实现高效开关。
    - 开关电路: 广泛应用于电源管理和电机控制。
    使用建议:
    - 确保正确的安装位置和散热设计,以避免过热。
    - 在设计时考虑 PCB 布局,使器件靠近电源引脚,减少寄生电感和电容。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - BSN20BK 与常见的 SOT23 封装标准兼容,易于集成到现有电路板设计中。
    支持和维护:
    - Nexperia 提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南、应用笔记和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问:如何确定最佳的栅源电压?
    - 答: 根据应用需求,选择合适的 \( V{GS} \)。典型值为 10V,但可以根据具体情况调整。
    - 问:如何防止过热?
    - 答: 正确选择散热方案,如增加散热片或优化 PCB 设计,确保结温不超过 150°C。
    - 问:如何降低漏源导通电阻?
    - 答: 通过降低栅源电压 \( V{GS} \) 并增加电流 \( ID \) 来减小 \( R{DSon} \)。例如,在 \( V{GS} = 10 \text{V} \) 时,\( R{DSon} \) 为 2.1 Ω。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    Nexperia BSN20BK 是一款高性能的 N沟道沟槽式 MOSFET,具有出色的开关速度和低导通电阻。它的逻辑电平兼容性和 ESD 保护使其成为各种应用场景的理想选择。
    推荐使用:
    - 推荐用于高速信号处理、电源管理、电机控制等领域。特别是在需要紧凑且高效的开关解决方案时,BSN20BK 是一个理想的选择。

BSN20BK参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 0.49nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 310mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 200mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 20.2pF@30V
Id-连续漏极电流 265mA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

BSN20BK厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

BSN20BK数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA BSN20BK BSN20BK数据手册

BSN20BK封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 0.2772
300+ ¥ 0.2426
1000+ ¥ 0.2043
5000+ ¥ 0.1941
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