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PMN30UNH

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 0.53mW(Ta),4.46mW(Tc) 12V 900mV@ 250µA 12nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 40mΩ@ 4.5A,4.5V 4.5A 635pF@15V TSOP-6 贴片安装
供应商型号: 3924498
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMN30UNH

PMN30UNH概述


    产品简介


    PMN30UN N-Channel Trench MOSFET
    PMN30UN 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(FET),采用 SOT457(SC-74)封装。它利用先进的沟槽 MOSFET 技术制造而成,特别适用于低侧负载开关、LED 驱动和电源管理等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 栅源电压(VGS):-12 V 至 +12 V
    - 漏源电压(VDS):最大 30 V
    - 漏极电流(ID):最大 5.7 A (t ≤ 5 s)
    - 通态电阻(RDSon):典型值为 33 mΩ @ 4.5 V VGS,4.5 A ID
    - 总功耗(Ptot):典型值为 1.24 W
    - 极限值
    - 漏源电压(VDS):最大 30 V
    - 峰值漏极电流(IDM):最大 18 A
    - 环境温度(Tamb):-55°C 至 150°C
    - 存储温度(Tstg):-65°C 至 150°C
    - 热特性
    - 结点到环境的热阻(Rth(j-a)):典型值为 235 K/W(自由空气)
    - 结点到焊点的热阻(Rth(j-sp)):典型值为 28 K/W

    产品特点和优势


    PMN30UN 采用了先进的沟槽 MOSFET 技术,具有以下显著特点:
    - 低阈值电压:便于驱动
    - 快速开关:适合高频应用
    - 高功率耗散能力:可达 1240 mW,增强了可靠性
    这些特点使得 PMN30UN 在 LED 驱动和电源管理等应用中表现卓越,特别是在需要高频率和高效率的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. LED 驱动器:PMN30UN 可以作为开关元件用于控制 LED 的亮度,通过调节栅源电压实现对 LED 电流的有效控制。
    2. 电源管理:在直流-直流转换器或升压电路中,可以用来控制电源输出,确保高效稳定的电力传输。
    3. 低侧负载开关:在某些电机控制应用中,PMN30UN 作为开关器件控制低侧负载的接通和断开,简化电路设计并提高效率。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到 PMN30UN 的高功率耗散能力,建议在使用时进行适当的散热设计,例如添加散热片或铜散热垫,以避免因过热导致器件失效。
    2. 驱动信号:在驱动 PMN30UN 时,确保栅极驱动信号的幅度和上升时间满足技术要求,以充分发挥其快速开关的优点。
    3. 布局考虑:在 PCB 设计中,应确保良好的接地和电源布局,减少寄生电感和电容的影响,进一步提高整体电路的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    PMN30UN 采用标准的 TSOP6 封装,易于与其他标准电子元器件集成。Nexperia 提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和应用笔记,帮助用户快速上手并解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下,器件无法正常工作
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或散热垫,确保环境温度不超过规定范围。
    2. 问题:电源波动导致器件损坏
    - 解决方案:在电源输入端增加滤波电容,确保输入电压稳定。
    3. 问题:栅极驱动信号不稳定
    - 解决方案:使用合适的驱动器来生成稳定的栅极信号,确保信号幅度和上升时间满足要求。

    总结和推荐


    总体而言,PMN30UN N-Channel Trench MOSFET 是一款性能卓越、适应性强的电子元器件。它凭借其先进的技术、快速的开关速度和强大的功率耗散能力,在多种应用中表现出色。无论是LED驱动还是电源管理,PMN30UN 都能提供可靠的解决方案。强烈推荐在上述应用中使用 PMN30UN,特别是在需要高可靠性和高效性的场合。

PMN30UNH参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 4.5A,4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4.5A
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 635pF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV@ 250µA
栅极电荷 12nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 0.53mW(Ta),4.46mW(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMN30UNH厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMN30UNH数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMN30UNH PMN30UNH数据手册

PMN30UNH封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.8645
10+ ¥ 0.7754
100+ ¥ 0.6549
500+ ¥ 0.6287
1000+ ¥ 0.5763
5000+ ¥ 0.5763
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