处理中...

首页  >  产品百科  >  PMDPB55XP,115

PMDPB55XP,115

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 1.17W 12V 900mV@ 250µA 25nC@ 5V 2个P沟道 20V 70mΩ@ 3.4A,4.5V 3.4A 785pF@10V DFN-2020-6 贴片安装
供应商型号: A-PMDPB55XP,115
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMDPB55XP,115

PMDPB55XP,115概述

    Nexperia PMDPB55XP: Dual P-Channel Trench MOSFET

    1. 产品简介


    PMDPB55XP是一款采用超薄DFN2020-6(SOT1118)表面贴装塑料封装技术的双沟道增强模式场效应晶体管(FET)。这款晶体管采用Trench MOSFET技术制造,具有非常快的开关速度和卓越的热传导性能。

    2. 技术参数


    以下是PMDPB55XP的技术规格和性能参数:
    - 极限参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):最大为-20V。
    - 栅源电压 \( V{GS} \):范围为-12V至12V。
    - 漏电流 \( ID \):最大值为-4.5A(在\( V{GS} = -4.5V \),\( T{amb} = 25°C \))。

    - 静态特性:
    - 导通电阻 \( R{DSon} \):在 \( V{GS} = -4.5V \), \( ID = -3.4A \), \( Tj = 25°C \) 条件下,最小值为55mΩ,典型值为62.5mΩ,最大值为70mΩ。

    - 热特性:
    - 热阻 \( R{th(j-a)} \):自由空气中典型值为223K/W(单面铜,锡镀层),标准脚位条件下典型值为93K/W。

    - 动态特性:
    - 总栅电荷 \( QG(tot) \):典型值为16.5nC(在 \( V{DS} = -10V \), \( ID = -3.4A \), \( V{GS} = -5V \), \( Tj = 25°C \))。

    3. 产品特点和优势


    - 非常快速的开关速度:使其适用于高频电路设计。
    - Trench MOSFET技术:保证了低导通电阻和高可靠性。
    - 小尺寸、无引脚的超薄SMD封装:封装尺寸仅为2x2x0.65mm,便于集成到小型便携设备中。
    - 裸露漏极垫片:提供出色的热传导性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 充电开关:适用于便携式设备的电池管理。
    - DC/DC转换器:可用于高效的电源转换。
    - 小型无刷直流电机驱动:可实现精准控制。
    - 便携式电池驱动设备的电源管理:提高整体能效。
    - 硬盘和计算电源管理:确保稳定供电。
    使用建议:
    - 为了优化散热,建议在FR4印刷电路板上使用标准足迹或增加一个6cm²的漏极安装垫。
    - 在高频开关应用中,应注意选择合适的栅极电阻以降低栅极振铃现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与常见的FR4 PCB标准足迹兼容。
    - 支持:Nexperia提供全面的技术支持和维护服务,以确保客户的顺利应用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下性能下降。
    - 解决方法:通过增加散热垫或优化电路布局来提高散热效果。
    - 问题2:高频率操作下的噪音问题。
    - 解决方法:增加适当的栅极电阻以减缓栅极电压变化率。

    7. 总结和推荐


    总结:
    PMDPB55XP凭借其优异的开关速度、低导通电阻及良好的热性能,成为便携设备和便携式电源管理的理想选择。它特别适合需要高效、紧凑解决方案的应用场合。
    推荐:
    我们强烈推荐此产品用于需要高性能和可靠性的各种便携设备和电源管理电路中。其独特的设计和出色的表现使其在市场上具有很强的竞争力。

PMDPB55XP,115参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 3.4A,4.5V
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 785pF@10V
Id-连续漏极电流 3.4A
配置
最大功率耗散 1.17W
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV@ 250µA
栅极电荷 25nC@ 5V
FET类型 2个P沟道
2.1mm(Max)
2.1mm(Max)
610μm(Max)
通用封装 DFN-2020-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMDPB55XP,115厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMDPB55XP,115数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMDPB55XP,115 PMDPB55XP,115数据手册

PMDPB55XP,115封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.741
100+ ¥ 2.0303
1000+ ¥ 1.5739
1500+ ¥ 1.29
3000+ ¥ 1.1835
库存: 580
起订量: 10 增量: 10
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 27.41
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
070N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
086N10N-VB TO262 ¥ 3.887
0902NS-VB ¥ 3.498
091N06N-VB TO220 ¥ 3.887
100N06L-VB ¥ 3.1091
12N50C3-VB TO247 ¥ 12.5579
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0
130N03M-VB ¥ 1.9435
13P03SC-VB ¥ 1.5546