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PMZB390UNEYL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 350mW(Ta),5.43W(Tc) 8V 950mV@ 250µA 1.3nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 470mΩ@ 900mA,4.5V 900mA 41pF@15V DFN-1006B-3 贴片安装 1mm(长度)*600μm(宽度)
供应商型号: 30C-PMZB390UNEYL DFN1006B-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMZB390UNEYL

PMZB390UNEYL概述

    Nexperia PMZB390UNE:30 V N-Channel Trench MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PMZB390UNE 是一款由Nexperia公司生产的30V耐压的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。该器件采用无引线超小型DFN1006B-3(SOT883B)封装,内部集成Trench MOSFET技术。该产品广泛应用于各种高性能开关电路设计中,如继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和各类切换电路等。

    2. 技术参数


    - 基本特性
    - 额定电压:VDS = 30 V
    - 电流限制:ID = 0.9 A @ VGS = 4.5 V,TAmb = 25°C
    - 短路电流能力:IDM = 4 A @ TAmb = 25°C,单脉冲;tp ≤ 10 µs
    - 最大功率耗散:Ptot = 350 mW @ TAmb = 25°C;Ptot = 715 mW @ TAmb = 25°C
    - 结温范围:-55°C 至 +150°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-65°C 至 +150°C
    - 静态特性
    - 导通电阻(RDSon):390 mΩ 至 470 mΩ @ VGS = 4.5 V,ID = 0.9 A,Tj = 25°C
    - 门槛电压(VGS(th)):0.45 V 至 0.95 V @ ID = 250 µA,VDS = VGS,Tj = 25°C
    - 动态特性
    - 门极电荷(QG(tot)):0.8 nC 至 1.3 nC
    - 门极-源极电容(Ciss):41 pF
    - 输出电容(Coss):6 pF
    - 反向转移电容(Crss):5 pF

    3. 产品特点和优势


    PMZB390UNE 的显著特点包括:
    - 非常快的开关速度:确保高效率和低功耗的应用需求。
    - 低门槛电压:减少驱动功率需求,提升系统整体能效。
    - 超薄封装:仅0.37 mm的厚度,适用于紧凑型电路板设计。
    - 抗静电放电(ESD)保护:具备2 kV HBM ESD防护能力,提高设备可靠性和寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    该器件适用于多种应用场合,例如:
    - 继电器驱动器
    - 高速线路驱动器
    - 低侧负载开关
    - 各类开关电路
    使用建议:
    在设计中应注意散热管理,尤其是当器件在高温环境中工作时。可以采用散热片或热界面材料来降低热阻,从而提升器件的工作稳定性和寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:PMZB390UNE 采用标准的DFN1006B-3/SOT883B封装,易于与其他设备或电路板集成。
    - 技术支持:Nexperia提供详尽的产品文档和技术支持,涵盖安装指南、样品获取及售后咨询等服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现异常的门极-源极电压波动。
    - 解决方案:确保门极驱动电路稳定,避免电磁干扰影响。

    - 问题2:长期运行后器件性能下降。
    - 解决方案:加强散热措施,确保良好的热稳定性,以防止过热导致的性能衰减。

    7. 总结和推荐


    综合评估:PMZB390UNE 是一款高性能、可靠稳定的N沟道Trench MOSFET,具有出色的开关特性和较低的导通电阻,特别适合用于需要高效率和小体积的应用场合。
    推荐使用:鉴于其优良的特性及广泛的应用场景,强烈推荐工程师们在设计相关应用时优先考虑PMZB390UNE,以实现最佳的系统性能和经济效益。

PMZB390UNEYL参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 470mΩ@ 900mA,4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 41pF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 950mV@ 250µA
栅极电荷 1.3nC@ 4.5 V
最大功率耗散 350mW(Ta),5.43W(Tc)
Id-连续漏极电流 900mA
长*宽*高 1mm(长度)*600μm(宽度)
通用封装 DFN-1006B-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMZB390UNEYL厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMZB390UNEYL数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMZB390UNEYL PMZB390UNEYL数据手册

PMZB390UNEYL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.6028
100+ ¥ 0.4169
500+ ¥ 0.3784
2500+ ¥ 0.3509
5000+ ¥ 0.3267
10000+ ¥ 0.3058
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