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PMDPB70XP,115

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 1.17W 12V 1V@ 250µA 7.8nC@ 5V 2个P沟道 30V 87mΩ@ 2.9A,4.5V 2.9A 680pF@15V DFN-2020-6 贴片安装
供应商型号: CY-PMDPB70XP,115
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMDPB70XP,115

PMDPB70XP,115概述

    PMDPB70XP Dual P-Channel Enhancement Mode Trench MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    PMDPB70XP 是一款双 P 通道增强型沟槽 MOSFET,采用无铅超薄 SOT1118 表面贴装塑料封装,集成了先进的沟槽 MOSFET 技术。
    - 产品类型:双 P 通道增强型沟槽 MOSFET
    - 主要功能:快速开关、高可靠性、小体积、低热阻
    - 应用领域:便携设备充电开关、DC/DC 转换器、小型无刷直流电机驱动、电池驱动设备的电源管理、硬盘和计算设备的电源管理

    2. 技术参数


    根据技术手册中的数据,PMDPB70XP 的技术参数如下:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | TJ = 25°C | - | - | -30 | V |
    | VGS | 栅源电压 -12 | - | 12 | V |
    | ID | 漏极电流 | VGS = -4.5 V; | - | - | -3.8 | A |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = -4.5 V; | - | 70 | 87 | mΩ |
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | ID = -250 µA; | -30 | - | - | V |
    | VGSth | 栅源阈值电压 | ID = -250 µA; | -0.45| -0.7 | -1 | V |
    | IDM | 峰值漏极电流 | Tamb = 25°C | - | - | -11.6| A |
    | Ptot | 总功耗 | Tamb = 25°C | - | 490 | 1170 | mW |
    | Tj | 结温 | -55 | 150 | °C |
    | Tamb | 环境温度 | -55 | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    PMDPB70XP 的独特功能和优势:
    - 非常快的开关速度
    - 采用先进的沟槽 MOSFET 技术
    - 小巧轻薄的 SMD 封装,尺寸仅为 2 x 2 x 0.65 mm
    - 散热片设计提供了出色的热传导性

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景分析:
    - 便携设备充电开关:适用于各种便携设备(如手机、平板电脑)的充电控制电路,能高效控制电流,提升充电效率。
    - DC/DC 转换器:在各种 DC/DC 转换器中作为开关器件,能够提供快速且可靠的电源转换。
    - 小型无刷直流电机驱动:在微型电机中,PMDPB70XP 能够实现精准的电流控制,提高电机的稳定性和寿命。
    - 电源管理:用于便携式设备的电源管理,能够有效管理电池的充放电过程,延长设备使用寿命。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意避免超过最大额定值,尤其是 VDS 和 ID 的限制。
    - 使用时应确保良好的散热条件,以减少结温过高带来的影响。
    - 可考虑使用带有大尺寸散热垫的 PCB 设计,进一步提高散热效果。

    5. 兼容性和支持


    PMDPB70XP 的兼容性信息:
    - 与标准 FR4 PCB 和标准引脚布局兼容,便于集成到现有系统中。
    - 供应商提供全面的技术支持和售后保障,帮助客户顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法:
    - 问题:开关速度慢
    解决办法:检查栅极电阻是否正确,确保信号波形无畸变。
    - 问题:发热过大
    解决办法:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或优化 PCB 布局。
    - 问题:漏电流过大
    解决办法:检查器件是否损坏,更换新的 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    综述与推荐:
    PMDPB70XP 是一款高性能、可靠稳定的双 P 通道增强型沟槽 MOSFET。其小巧轻薄的封装设计和高效的热传导特性使其非常适合便携设备、DC/DC 转换器及小型电机驱动等领域。通过合理的电路设计和散热优化,可以最大化发挥其性能。因此,我们强烈推荐此产品给需要高效、稳定功率控制的应用场景。
    以上是对 PMDPB70XP 的全面解析,涵盖了产品基本介绍、技术参数、应用优势、使用建议及常见问题处理。希望对您的选型和应用有所帮助。

PMDPB70XP,115参数

参数
最大功率耗散 1.17W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 87mΩ@ 2.9A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 7.8nC@ 5V
通道数量 2
配置
Id-连续漏极电流 2.9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 680pF@15V
FET类型 2个P沟道
2.1mm(Max)
2.1mm(Max)
610μm(Max)
通用封装 DFN-2020-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMDPB70XP,115厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMDPB70XP,115数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMDPB70XP,115 PMDPB70XP,115数据手册

PMDPB70XP,115封装设计

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