处理中...

首页  >  产品百科  >  PMPB20XPE

PMPB20XPE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 3.5W 12V 900mV 30nC@ 4.5V 20V 23.5mΩ@ 4.5V 2.945nF@ 10V
供应商型号: PMPB20XPE
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMPB20XPE

PMPB20XPE概述

    # Nexperia PMPB20XPE 20 V Single P-Channel Trench MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    1.1 基本介绍
    PMPB20XPE 是一款采用 Trench MOSFET 技术的单通道 P 沟道场效应晶体管(FET),封装为无引脚的中功率 DFN2020MD-6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)。这款 MOSFET 被广泛应用于便携式设备充电开关、直流到直流转换器以及电池驱动的便携式设备中的电源管理。

    2. 技术参数


    以下是 PMPB20XPE 的关键技术规格和技术参数:
    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDS):-20 V
    - 栅源电压 (VGS):-12 V 至 12 V
    - 漏极电流 (ID):在 VGS = -4.5 V 和 Tamb = 25°C 条件下,瞬态漏极电流为 -10.3 A,连续漏极电流为 -7.2 A。
    - 静态特性:
    - 导通电阻 (RDSon):在 VGS = -4.5 V 和 ID = -7.2 A 条件下,典型值为 19 mΩ。
    - 动态特性:
    - 总栅极电荷 (QG(tot)):30 nC 至 45 nC。
    - 热阻:
    - 从结点到环境的热阻 (Rth(j-a)):在自由空气中的典型值为 235 K/W。
    - 其他限制条件:
    - 最大峰值漏极电流 (IDM):在 Tamb = 25°C 和单脉冲条件下,为 -30 A。
    - 存储温度范围 (Tstg):-65°C 至 150°C。

    3. 产品特点和优势


    3.1 特点和优势
    - 超小和无引脚的超薄 SMD 塑料封装:尺寸仅为 2 x 2 x 0.65 mm。
    - 漏极暴露焊盘:提供卓越的热传导能力。
    - 100% 可焊接侧焊盘:支持光学焊接检查。
    - ESD 保护:HBM 电荷泄放高达 2400 V。
    3.2 应用优势
    - 便携式设备充电开关:具有低导通电阻和高可靠性,适合便携式设备的应用场景。
    - 直流到直流转换器:高效的电流控制能力使其成为理想的电源管理器件。
    - 电池驱动设备的电源管理:卓越的热管理能力和低功耗设计,延长设备使用寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    4.1 应用案例
    - 便携式设备充电开关:由于其小巧的封装和出色的散热能力,使得在便携式设备中充当充电开关时表现优异。
    - 电源管理电路:通过优化电路设计,可以提高整体电源效率。
    4.2 使用建议
    - 散热设计:为了确保最佳性能,建议使用较大面积的散热板,并保证良好的气流。
    - 负载测试:建议进行充分的负载测试以验证设备在极限工作条件下的表现。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:PMPB20XPE 可与其他标准 SMD 组件兼容。
    - 技术支持:Nexperia 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    6.1 问题与解决方案
    - 问题:设备无法正常启动。
    - 解决方案:检查连接是否正确,并确认是否有足够的电源电压。
    - 问题:过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或优化散热设计。

    7. 总结和推荐


    7.1 产品评估
    - 优点:
    - 封装紧凑且体积小巧,适用于空间受限的设计。
    - 高导通电阻,低功耗,提升整体系统效率。
    - 出色的热管理和散热能力,增强设备稳定性。

    7.2 推荐
    - 推荐使用:鉴于其卓越的性能和可靠性,PMPB20XPE 是便携式设备、便携式电源管理模块以及充电解决方案的理想选择。建议设计师在相关项目中优先考虑此款产品。

PMPB20XPE参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 23.5mΩ@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.945nF@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 3.5W
栅极电荷 30nC@ 4.5V

PMPB20XPE厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMPB20XPE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMPB20XPE PMPB20XPE数据手册

PMPB20XPE封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.3151
2000+ ¥ 2.2572
4000+ ¥ 2.2187
库存: 57000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.31
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336