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PMN30XPEX

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 560mW(Ta),6.25W(Tc) 12V 1.25V@ 250µA 17nC@ 10 V 1个P沟道 20V 34mΩ@ 5.3A,4.5V 7A 1.465nF@10V TSOP-6 贴片安装
供应商型号: CY-PMN30XPEX
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMN30XPEX

PMN30XPEX概述

    Nexperia PMN30XPE: 20 V P-Channel Trench MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型:
    Nexperia PMN30XPE是一款20V P沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用小尺寸SOT457(SC-74)表面贴装器件(SMD)塑料封装,内部采用沟槽式MOSFET技术制造。
    主要功能:
    - 极快的开关速度
    - 高效的电荷传输
    - 超过2 kV的HBM ESD保护
    - 强大的热耗散能力
    应用领域:
    - 继电器驱动器
    - 高速线路驱动器
    - 高侧负载开关
    - 开关电路

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | - | - | -20 | - | V |
    | VGS | 栅源电压 | TJ = 25 °C | -12 | - | 12 | V |
    | ID | 漏极电流 | VGS = -4.5 V;Tamb = 25 °C;t ≤ 5 s | - | - | -7 | A |
    | RDSon | 漏源导通电阻 | VGS = -4.5 V;ID = -5.3 A;TJ = 25 °C | - | 28 | 34 | mΩ |
    其他重要参数还包括:
    - 峰值漏极电流:21 A
    - 总功率耗散:6.25 W
    - 结温:-55到150 °C
    - 工作环境温度:-55到150 °C
    - 存储温度:-65到150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 极快的开关速度:得益于先进的沟槽MOSFET技术,使其具备快速开关的优势。
    - 高ESD保护:超过2 kV的HBM ESD保护,增强了产品的耐用性。
    - 强大的热耗散能力:可达1390 mW的功率耗散能力,保证了长期稳定的工作性能。
    - 出色的可靠性:沟槽MOSFET技术使得产品在恶劣环境下仍能可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 继电器驱动器:PMN30XPE可用于各种继电器驱动场合,如控制汽车中的继电器,确保快速而可靠的切换。
    - 高速线路驱动器:适用于需要高速信号传输的应用场合,例如通信系统中的信号放大。
    使用建议:
    - 确保在安装时使用适当的散热措施,避免过热导致性能下降。
    - 在选择合适的栅极电阻时,建议根据具体应用需求调整阻值,以达到最佳的开关性能。
    - 为确保安全操作,使用过程中应避免超过规定的最大参数限制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:PMN30XPE与标准TSOP6封装兼容,适用于多种电路设计和布局。
    - 支持和维护:Nexperia提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛和专业的技术支持团队,帮助用户解决任何技术难题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品工作时出现异常发热。
    - 解决方案:检查是否超出了额定的最大功耗,调整散热设计以降低温度。
    - 问题2:产品未能正确开关。
    - 解决方案:确认输入电压和电流是否符合规格要求,检查电路连接是否正确。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:PMN30XPE凭借其快速的开关速度、卓越的热耗散能力和高ESD保护特性,在多种应用中表现出色。特别是对于需要高可靠性、低损耗和高效能的电路设计来说,这款产品无疑是一个理想的选择。
    - 推荐:基于以上分析,强烈推荐使用PMN30XPE。其出色的性能和稳定性使其成为众多应用场景中的优选元件。无论是在继电器驱动还是高速信号传输领域,这款产品都表现出了优异的表现。

PMN30XPEX参数

参数
最大功率耗散 560mW(Ta),6.25W(Tc)
栅极电荷 17nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.465nF@10V
通道数量 1
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.25V@ 250µA
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 34mΩ@ 5.3A,4.5V
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMN30XPEX厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMN30XPEX数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMN30XPEX PMN30XPEX数据手册

PMN30XPEX封装设计

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