处理中...

首页  >  产品百科  >  PSMN0R9-25YLDX

PSMN0R9-25YLDX

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 238W(Tc) 20V 2.2V@1mA 89.8nC@ 10 V 1个N沟道 25V 850μΩ@ 25A,10V 300A 6.721nF@12V LFPAK-56-5 贴片安装
供应商型号: AV-S-NXEPSMN0R925YLDX
供应商: Avnet
标准整包数: 1500
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PSMN0R9-25YLDX

PSMN0R9-25YLDX概述

    Nexperia PSMN0R9-25YLD MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    PSMN0R9-25YLD 是一款由 Nexperia 生产的逻辑电平驱动 N 沟道增强型 MOSFET,封装于 LFPAK56 封装中,采用了 NextPowerS3 技术。这款 MOSFET 的额定电压为 25V,导通电阻仅为 0.85 mΩ,可承受高达 300A 的连续电流。它特别适用于高效率、高频开关的应用场合,如服务器和电信设备中的 DC:DC 转换器、电源系统以及电机控制等。

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | 漏源电压 | 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C | - | - | 25 V |
    | ID | 漏极电流 | VGS = 10 V; Tmb = 25 °C; 图 2 [1] | - | - | 300 A |
    | Ptot | 总功率耗散 | Tmb = 25 °C; 图 1 | - | - | 238 W |
    | Tj | 结温 | -55 - 175 °C |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 4.5 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C; 图 10 | - | 0.96 - 1.2 mΩ |
    VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C; 图 10 | - | 0.72 - 0.85 mΩ |
    | QG(tot) | 总栅极电荷 | ID = 0 A; VDS = 0 V; VGS = 0 V | - | 47.2 - nC |

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:具备低栅极电荷(QG、QGD 和 QOSS),适合高效率系统,尤其在高频率切换时。
    - 超快开关:具备软恢复特性,有助于降低尖峰和振铃,提高电磁干扰设计水平。
    - 创新技术:采用独特的“SchottkyPlus”技术,在 25°C 时漏电流低于 1 µA。
    - 优化的门驱动电压:适合 4.5V 门驱动电压。
    - 低寄生损耗:低寄生电感和电阻,适合高可靠性应用。
    - 焊接适用性:无胶粘剂、无焊线,适用于 175°C 环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用:服务器和通信系统的板载 DC:DC 转换器、电信设备中的次级同步整流、VRM 模块、POL 模块等。
    - 使用建议:鉴于其高电流承载能力,建议用于需要较大输出电流的应用场景。同时,由于其低栅极电荷特性,应在高频应用中充分利用其性能优势。在设计 PCB 布局时,需注意散热设计以防止过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用标准的 LFPAK56 封装,与其他 LFPAK56 或 Power-SO8 封装的器件具有良好的互换性。
    - 支持和维护:Nexperia 提供全面的技术支持和售后维护服务,确保客户能够顺利使用并优化其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后发热严重。
    解决方法:改善 PCB 设计,增加散热面积,避免器件因过热而损坏。
    - 问题:在高频应用中表现不佳。
    解决方法:选择合适的工作频率范围,并进行适当的门驱动设计以减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    PSMN0R9-25YLD 是一款专为高效率、高频开关设计的高性能 N 沟道 MOSFET。其低导通电阻、高可靠性和出色的开关性能使其成为许多关键应用的理想选择。无论是电信、服务器还是电机控制领域,它都表现出色。考虑到其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐此款 MOSFET 给需要高效、可靠的电源解决方案的工程师们。
    通过这篇解析,您可以更好地了解 Nexperia PSMN0R9-25YLD MOSFET 的核心技术和应用场景,从而帮助您做出更明智的设计决策。

PSMN0R9-25YLDX参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.721nF@12V
Rds(On)-漏源导通电阻 850μΩ@ 25A,10V
最大功率耗散 238W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 25V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 300A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@1mA
栅极电荷 89.8nC@ 10 V
通道数量 1
5mm(Max)
4.1mm(Max)
1.1mm(Max)
通用封装 LFPAK-56-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PSMN0R9-25YLDX厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PSMN0R9-25YLDX数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX数据手册

PSMN0R9-25YLDX封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 0.7536 ¥ 6.6696
4500+ $ 0.7469 ¥ 6.61
库存: 1500
起订量: 1500 增量: 1500
交货地:
最小起订量为:1500
合计: ¥ 10004.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504