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PSMN7R5-30YLDX

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 34W(Tc) 20V 2.2V@1mA 11.3nC@ 10 V 1个N沟道 30V 7.5mΩ@ 15A,10V 51A 655pF@15V LFPAK-56-4 贴片安装
供应商型号: AV-S-PHSPSMN7R530YLDX
供应商: Avnet
标准整包数: 1500
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PSMN7R5-30YLDX

PSMN7R5-30YLDX概述

    Nexperia PSMN7R5-30YLD: A High-Efficiency MOSFET for Modern Electronics

    1. 产品简介


    Nexperia PSMN7R5-30YLD 是一款逻辑电平门驱动 N 沟道增强模式 MOSFET,采用 LFPAK56 封装。该器件基于 NextPowerS3 技术,特别适用于高效率应用,尤其是在高开关频率下表现卓越。该 MOSFET 的主要特点是极低的导通电阻(RDSon),这使其在各种直流到直流转换和电机控制应用中表现出色。

    2. 技术参数


    Nexperia PSMN7R5-30YLD 的主要技术参数如下:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | 25°C ≤ Tj ≤ 175°C | - | - | 30 | V |
    | ID | 漏极电流 | Tmb = 25°C; VGS = 10V | - | - | 51 | A |
    | Ptot | 总功率耗散 | Tmb = 25°C; | - | - | 34 | W |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 4.5V; ID = 10A; Tj=25°C | - | 8.1 | 10.2 | mΩ |
    | QG | 总栅极电荷 | VGS = 4.5V; ID = 15A; VDS = 15V | - | 5.5 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 超低 QG, QGD 和 QOSS:适合高系统效率,尤其是在高开关频率下。
    - 快速软恢复开关:软恢复因子 s > 1。
    - 低尖峰和振铃:适用于低 EMI 设计。
    - 独特的“SchottkyPlus”技术:Schottky 相似性能且漏电流<1μA(25°C)。
    - 优化的 4.5V 栅极驱动。
    - 低寄生电感和电阻。
    - 高可靠性无胶水、无引线键合封装。
    - 波峰焊接,暴露引脚便于视觉检查。

    4. 应用案例和使用建议


    Nexperia PSMN7R5-30YLD 主要应用于以下领域:
    - 服务器和通信系统的板载 DC-DC 转换器。
    - 电信应用中的二次侧同步整流。
    - 电压调节模块 (VRM)。
    - 点负载 (POL) 模块。
    - V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA 及系统组件的电源传输。
    - 有刷和无刷电机控制。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中选择此 MOSFET 可以显著提高效率。
    - 在设计电路时,注意 PCB 布局以减少寄生电感,确保散热良好。

    5. 兼容性和支持


    该 MOSFET 兼容常见的电路设计标准,并通过 Nexperia 官方支持提供可靠的技术支持。制造商提供的技术支持可以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:温度对导通电阻的影响?
    - 解决方案:参照数据表中的 RDSon 与温度的关系图进行校准。
    - 问题:栅极电压如何设置?
    - 解决方案:推荐使用 4.5V 作为栅极驱动电压以获得最佳性能。

    7. 总结和推荐


    Nexperia PSMN7R5-30YLD MOSFET 非常适合高效率和高频应用,如数据中心、服务器和通信系统中的电源管理。其独特的 NextPowerS3 技术使其具备出色的性能,特别是在低漏电流和高可靠性方面。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的应用中。

PSMN7R5-30YLDX参数

参数
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@1mA
最大功率耗散 34W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 51A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 655pF@15V
栅极电荷 11.3nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ@ 15A,10V
通用封装 LFPAK-56-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PSMN7R5-30YLDX厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PSMN7R5-30YLDX数据手册

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PSMN7R5-30YLDX封装设计

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