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NX3020NAKV,115

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 370mW 20V 1.5V@ 250µA 0.44nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 4.5Ω@ 100mA,10V 200mA 13pF@10V SOT-666 贴片安装
供应商型号: 30C-NX3020NAKV,115 SOT-666
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NX3020NAKV,115

NX3020NAKV,115概述

    # Nexperia NX3020NAKV 30 V, 200 mA Dual N-Channel Trench MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    Nexperia的NX3020NAKV是一款双通道N沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装塑料封装。这种器件利用Trench MOSFET技术,适用于各种高速开关应用。NX3020NAKV可以实现快速切换,具备低阈值电压和ESD保护功能,广泛应用于继电器驱动、高速线驱动、低侧负载开关和开关电路等场合。

    技术参数


    性能参数
    - 漏源电压(VDS):-30V
    - 栅源电压(VGS):-20V 到 +20V
    - 连续漏电流(ID):在25°C时,最高200mA;在100°C时,最高120mA
    - 最大峰值漏电流(IDM):在25°C单脉冲下,最高800mA
    - 总功耗(Ptot):在25°C时,最高375mW
    静态特性
    - 漏源导通电阻(RDSon):在10V栅源电压和25°C条件下,最低2.7Ω
    - 击穿电压(V(BR)DSS):30V
    - 栅源阈值电压(VGSth):在25°C条件下,0.8V到1.5V
    动态特性
    - 总栅电荷(QG(tot)):0.34nC到0.44nC
    - 输入电容(Ciss):13pF到20pF
    - 输出电容(Coss):2.6pF
    热特性
    - 热阻(Rth(j-a)):从结点到环境,自由空气下典型值为410K/W到480K/W

    产品特点和优势


    特殊功能和优势
    - 非常快的切换速度:适于需要快速响应的应用场景。
    - Trench MOSFET技术:提高了效率和可靠性。
    - ESD保护:确保在运输和安装过程中器件不受损坏。
    - 低阈值电压:便于驱动,降低能耗。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 继电器驱动:适用于需要可靠驱动的继电器系统。
    - 高速线驱动:在高速网络传输设备中有广泛应用。
    - 低侧负载开关:在汽车电子和工业控制中常见。
    - 开关电路:如电源转换电路中的开关调节器。
    使用建议
    - 在设计时,需确保散热良好,以避免过热导致器件损坏。
    - 使用FR4印刷电路板时,确保焊接点和散热面积足够。
    - 设计时应考虑到环境温度对电流和功耗的影响,以便进行适当的热管理。

    兼容性和支持


    兼容性
    - NX3020NAKV可与现有的SOT666封装的其他器件兼容,便于替换或集成。
    支持信息
    - Nexperia提供详尽的技术支持,包括在线文档、客户支持热线等,帮助用户解决技术问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 电流过载
    - 解决方法:检查电路设计,增加适当的保险丝或过流保护。
    2. 温度过高
    - 解决方法:增加散热措施,如增加散热片或使用更好的散热材料。
    3. 切换速度慢
    - 解决方法:调整电路设计,降低栅极电荷或提高供电电压。

    总结和推荐


    综合评估
    NX3020NAKV在众多N沟道Trench MOSFET中表现优异,具有快速切换速度、低功耗和高可靠性等优点。其应用范围广,特别是在需要高性能、高可靠性的开关电路中表现出色。
    推荐使用
    强烈推荐在需要快速切换和高效开关应用的项目中使用NX3020NAKV。该器件的技术先进且性能稳定,能够满足各种高要求的工程需求。

NX3020NAKV,115参数

参数
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5Ω@ 100mA,10V
栅极电荷 0.44nC@ 4.5V
Id-连续漏极电流 200mA
配置
最大功率耗散 370mW
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13pF@10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
FET类型 2个N沟道
1.7mm(Max)
1.3mm(Max)
600μm(Max)
通用封装 SOT-666
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

NX3020NAKV,115厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

NX3020NAKV,115数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115数据手册

NX3020NAKV,115封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.6996
200+ ¥ 0.4818
2000+ ¥ 0.4389
4000+ ¥ 0.4103
60000+ ¥ 0.407
80000+ ¥ 0.4026
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