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PSMN4R5-40BS,118

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 100 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2114728
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PSMN4R5-40BS,118

PSMN4R5-40BS,118概述


    产品简介


    PSMN4R5-40BS 是一款由Nexperia公司设计和生产的标准等级N沟道MOSFET,封装形式为D2PAK,最大工作温度可达175°C。这款产品适用于广泛的工业、通信及家用设备。
    主要功能
    - 高效率:由于低开关损耗和导通损耗。
    - 适用于标准等级栅极驱动源。
    应用领域
    - 直流到直流转换器(DC-to-DC converters)
    - 负载切换(Load switching)
    - 电机控制(Motor control)
    - 服务器电源供应系统(Server power supplies)

    技术参数


    以下是产品的一些关键技术规格和性能参数:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | 漏源电压 | TJ ≥ 25 °C;TJ ≤ 175 °C | - | - | 40 | V |
    | ID | 漏电流 | TMB = 25 °C;VGS = 10 V;见图1 | - | - | 100 | A |
    | Ptot | 总功率耗散 | TMB = 25 °C;见图2 | - | - | 148 | W |
    | Tj | 结温 | -55 | - | 175 | °C |
    静态特性:
    - RDSon (漏源导通电阻):VGS = 10 V;ID = 25 A;TJ = 100 °C;见图13;见图5 | - | 5.5 | 6.5 | mΩ
    - VGS(th) (栅源阈值电压):ID = 1 mA;VDS = VGS;TJ = 25 °C;见图11;见图12 | - | - | 4.6 | V
    动态特性:
    - QGD (栅漏电荷):VGS = 10 V;ID = 25 A;VDS = 20 V;见图14;见图15 | - | 8.8 | - | nC
    - QG(tot) (总栅电荷):VGS = 10 V;ID = 0 A;VDS = 0 V | - | 35 | - | nC

    产品特点和优势


    PSMN4R5-40BS 的主要优势如下:
    - 高效率:低开关损耗和导通损耗使其在各种应用场景中表现出色。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C至175°C的环境中稳定运行。
    - 适合标准级驱动源:简化了电路设计和制造过程。
    - 优异的热性能:具备良好的散热能力,适合高功率应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源供应系统中用于负载切换和直流转换。
    - 用于电机控制系统中进行高效的电力控制。
    使用建议:
    - 选择合适的PCB布局以提高散热效果。
    - 确保栅极驱动源的信号质量以避免误操作。
    - 注意电路中其他组件与PSMN4R5-40BS的配合,确保整体系统的稳定性。

    兼容性和支持


    PSMN4R5-40BS 可与标准的D2PAK封装兼容。Nexperia提供了全面的技术支持和售后服务,客户可以随时联系当地的销售办事处获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:设备过热导致性能下降。
    - 解决方案:检查PCB布局是否合理,必要时增加散热片或改进散热设计。
    问题2:栅极驱动电压不足。
    - 解决方案:确保栅极驱动源提供足够的电压,检查驱动电路的设计。

    总结和推荐


    总体而言,PSMN4R5-40BS 是一款非常可靠的电子元器件,具有高效率、高可靠性及广泛的应用范围。它非常适合需要高效能和高性能的应用场景。鉴于其卓越的性能表现,强烈推荐在相关项目中采用这款产品。

PSMN4R5-40BS,118参数

参数
最大功率耗散 148W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.683nF@20V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
栅极电荷 42.3nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 25A,10V
10.3mm(Max)
9.4mm(Max)
4.5mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PSMN4R5-40BS,118厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PSMN4R5-40BS,118数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118数据手册

PSMN4R5-40BS,118封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 7.8919
100+ ¥ 7.2343
500+ ¥ 7.2343
1000+ ¥ 7.1027
5000+ ¥ 7.1027
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