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PMH260UNEH

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 360mW(Ta),2.23W(Tc) 8V 950mV@ 250µA 0.95nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 310mΩ@ 700mA,4.5V 1.2A 41pF@10V DFN-0606-3 贴片安装
供应商型号: UA-PMH260UNEH
供应商: 海外现货
标准整包数: 10000
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMH260UNEH

PMH260UNEH概述

    PMH260UNE N-Channel Trench MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    PMH260UNE 是一款由Nexperia公司生产的低压 N 沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无铅超小型 DFN0606-3 (SOT8001) 表面贴装封装。该器件采用了深沟槽 MOSFET 技术,具有低阈值电压、极快的开关速度等特性。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 栅源电压 (VGS): -8 V 到 +8 V
    - 漏源电压 (VDS): 最大 20 V
    - 漏极电流 (ID): 在 25°C 时最大为 1.2 A,100°C 时为 0.73 A
    - 最大漏极脉冲电流 (IDM): 单脉冲情况下为 3 A
    - 最大功耗 (Ptot): 在 25°C 时为 2.23 W
    - 静态特性
    - 导通电阻 (RDSon): 在 4.5 V 栅源电压下,典型值为 260 mΩ
    - 动态特性
    - 总栅电荷 (QG(tot)): 典型值为 0.63 nC
    - 输入电容 (Ciss): 典型值为 41 pF
    - 输出电容 (Coss): 典型值为 10 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 典型值为 7 pF
    - 热特性
    - 结至环境热阻 (Rth(j-a)): 自由空气下为 287-344 K/W,带焊盘下为 158-190 K/W
    - 结至焊点热阻 (Rth(j-sp)): 典型值为 47-56 K/W

    3. 产品特点和优势


    - 低阈值电压: 有助于实现快速切换。
    - 非常快的切换: 适合高速电路。
    - Trench MOSFET 技术: 提高性能和可靠性。
    - ESD 保护: 高达 1.8 kV HBM,适用于严苛环境。
    - 超小型封装: 仅 0.62 x 0.62 x 0.37 mm,适合空间受限的设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 继电器驱动: 用于需要快速切换的应用。
    - 高速线路驱动器: 快速切换特性使其成为理想选择。
    - 低侧负载开关: 适用于各种电力管理场合。
    - 开关电路: 广泛应用于各类电源和控制电路中。
    使用建议:
    - 设计注意事项: 确保 PCB 设计符合散热要求,尤其是在高功耗情况下。
    - 温度管理: 尽量避免工作温度超过规定范围,以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    PMH260UNE 与其他标准 PCB 足迹兼容,可以方便地集成到现有系统中。Nexperia 提供详细的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备无法正常工作。
    - 解决方案: 检查栅源电压是否在规定范围内,确认 PCB 足迹设计正确。
    - 问题: 散热不良。
    - 解决方案: 改进 PCB 设计,增加散热片或优化热管理策略。
    - 问题: 频繁出现 ESD 损坏。
    - 解决方案: 增加 ESD 保护电路或在组装过程中采取防护措施。

    7. 总结和推荐


    综上所述,PMH260UNE N 沟道深沟槽 MOSFET 以其低阈值电压、快速切换速度和紧凑的封装,非常适合于多种应用场合,特别是在高速和高频应用中表现优异。Nexperia 的技术支持和服务确保了产品的可靠性和易用性。我们强烈推荐将这款器件用于任何需要高性能 MOSFET 的场合。
    此文章旨在提供对 PMH260UNE 的全面了解,并帮助工程师和技术人员更好地理解和使用该产品。

PMH260UNEH参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 360mW(Ta),2.23W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 41pF@10V
栅极电荷 0.95nC@ 4.5 V
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 310mΩ@ 700mA,4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 1.2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 950mV@ 250µA
通用封装 DFN-0606-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PMH260UNEH厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMH260UNEH数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMH260UNEH PMH260UNEH数据手册

PMH260UNEH封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30000+ $ 0.0466 ¥ 0.3907
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