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NX138BKWF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 321mW 20V 1.5V@ 250µA 0.7nC@ 10 V 1个N沟道 60V 3.5Ω@ 200mA,10V 210mA 20pF@30V SOT-323 贴片安装
供应商型号: UA-NX138BKWF
供应商: 海外现货
标准整包数: 10000
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NX138BKWF

NX138BKWF概述

    # Nexperia NX138BKW N-channel Trench MOSFET 技术概述

    产品简介


    Nexperia NX138BKW 是一款基于 Trench MOSFET 技术的 N 沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用非常紧凑的 SOT323 (SC-70) 表面贴装封装形式。其设计适用于需要高性能和高可靠性的低功耗应用。NX138BKW 通过先进的沟槽工艺实现了低导通电阻、快速开关速度以及出色的静电放电保护特性。
    主要功能与应用领域
    - 低阈值电压:确保较低的驱动功率需求。
    - 非常快的开关能力:适合高频工作场景。
    - 静电放电保护(ESD):超过 2 kV 的 HBM(人体模型)抗扰能力。
    - 广泛的应用领域:适用于继电器驱动器、高速线驱动器、低侧负载开关及各类开关电路。

    技术参数


    以下是 NX138BKW 的关键技术和性能参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源击穿电压 | - 60 V |
    | VGS | 栅源电压 | Tj = 25°C | -20 20 | V |
    | ID | 漏极电流 | VGS = 10V, Tamb = 25°C 210 mA |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 10V, ID = 200mA, Tj=25°C 2.1 | 3.5 | Ω |
    | IDM | 峰值漏极电流 | Tamb = 25°C, 单脉冲, tp ≤ 10µs 855 mA |
    | Ptot | 总功率耗散 | Tamb = 25°C 266 | 321 | mW |
    | Tj | 结温范围 -55 150 | °C |
    其他热特性如从结点到环境的热阻 Rth(j-a) 的典型值为 410 至 470 K/W。
    产品特点与优势
    NX138BKW 在同类产品中具有显著的技术优势:
    1. 高集成度:紧凑的 SOT323 封装减少了 PCB 面积占用。
    2. 快速开关性能:得益于 Trench MOSFET 技术,能够实现高效的频率响应。
    3. 强大的静电保护:提供高达 2 kV 的 HBM ESD 保护,提高系统的可靠性。
    4. 低导通电阻:RDSon 最低可达 2.1Ω,可减少能耗并提升效率。
    这些特性使其成为各种现代电子系统中理想的功率管理组件。
    应用案例与使用建议
    NX138BKW 可应用于多种场景:
    - 继电器驱动器:适用于需要精确控制的小型继电器。
    - 低侧负载开关:适合电源管理和电机控制应用。
    - 高速线驱动器:支持高速通信接口的设计。
    使用时应注意以下几点:
    - 确保 VGS 不超过 ±20V,以避免击穿。
    - 考虑散热设计,特别是在连续工作条件下。
    - 若需要更高功率处理,可通过并联多个器件来满足需求。
    兼容性与支持
    NX138BKW 与常见的 PCB 设计标准兼容,并且 Nexperia 提供详尽的技术文档和支持服务,包括样品请求、技术支持热线以及全面的测试报告。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 减少外部栅极电阻 |
    | 散热不良导致性能下降 | 改善散热设计或增加通风孔 |
    | 工作电流超出规格 | 使用更大额定值的器件替换 |
    总结与推荐
    NX138BKW 是一款高性能的 N 沟道 Trench MOSFET,以其卓越的开关速度、较低的导通电阻以及良好的 ESD 防护能力,在继电器驱动和高速开关电路中表现出色。对于追求高效率和紧凑布局的设计者而言,它是一个理想的选择。
    推荐指数:★★★★★(5/5)
    通过结合上述技术优势及其广泛应用前景,我们可以毫不犹豫地向需要高效能 MOSFET 的项目推荐这款产品。

NX138BKWF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5Ω@ 200mA,10V
Id-连续漏极电流 210mA
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 20pF@30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
栅极电荷 0.7nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 321mW
Vds-漏源极击穿电压 60V
2.2mm(Max)
1.35mm(Max)
1mm(Max)
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NX138BKWF厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

NX138BKWF数据手册

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NX138BKWF封装设计

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