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AON3816

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 12V 1.1V@ 250µA 13nC@ 4.5V 2个N沟道 20V 22mΩ@ 4A,4.5V 1.1nF@10V DFN 贴片安装 2.9mm(长度)*2.3mm(宽度)
供应商型号: AON3816
供应商: 国内现货
标准整包数: 0
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) AON3816

AON3816概述

    AON3816 20V Dual N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    AON3816 是一款20V双N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术制造。该器件适用于双向负载开关或单向负载开关的应用。得益于其内部连接的源极和漏极配置,AON3816在多种电子电路设计中表现出色,尤其是在便携式设备、消费类电子产品及需要高效能和紧凑设计的系统中。

    技术参数


    以下是AON3816的主要技术规格和性能参数:
    - 最大源-漏电压 (VDS):20V
    - 最大连续漏电流 (ID):4A(在VGS=4.5V时)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):3.1A
    - 热阻 (RθJA):95°C/W(在静止空气中测试,1英寸² FR-4板上)
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS):小于10μA
    - 输入电容 (Ciss):730至1100pF
    - 输出电容 (Coss):110至200pF
    - 反向传输电容 (Crss):45至105pF
    - 栅极电阻 (Rg):2.4kΩ
    - 总栅极电荷 (Qg):8.8至13nC
    - 栅源电荷 (Qgs):1.6至2.4nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):1.9至4.5nC
    - 静态导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在VGS=4.5V时:小于22mΩ
    - 在VGS=4V时:小于23mΩ
    - 在VGS=2.5V时:小于28mΩ
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(ON)):即使在较低的栅极电压下(如1.8V),AON3816也能提供优异的导通电阻,确保高效的功率转换。
    2. 宽工作温度范围:其在极端环境下的可靠性使它非常适合于汽车和工业应用。
    3. 先进的沟槽技术:降低了导通电阻和门电荷,从而提高了整体效率。
    4. 静电放电保护 (ESD):内置的ESD保护结构增加了器件的使用寿命和可靠性。
    5. 双向/单向负载开关能力:通过其独特的源极-漏极连接方式,可灵活应用于不同的电路设计中。

    应用案例和使用建议


    AON3816广泛应用于电源管理、负载开关、便携式设备和消费类电子产品等领域。例如,在移动设备中,它可以作为电池充电和放电管理的关键组件。使用建议如下:
    1. 并联使用以提高电流处理能力:若需处理更大电流,可以通过并联多个AON3816来实现。
    2. 散热管理:由于其较高的热阻值(95°C/W),设计时需要考虑有效的散热措施,如添加散热片或使用更大的PCB铜层。
    3. 应用中的电流限制:在实际应用中,应确保电流不超过其额定值,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    AON3816具有良好的兼容性,可以与其他标准MOSFET和电源管理IC配合使用。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括应用指南和故障排除手册,用户可以在官方网站上下载这些资源。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流条件下器件过热
    - 解决方案:增加散热措施,例如增加散热片或加大PCB上的铜箔面积。

    2. 问题:导通电阻不符合预期
    - 解决方案:检查是否正确设置了栅极电压(VGS),确保其达到最小阈值电压(VGS(th))。
    3. 问题:设备突然失效
    - 解决方案:确认是否存在短路现象,确保所有连接都牢固且无错误。

    总结和推荐


    AON3816凭借其优异的导通电阻、低功耗和广泛的温度适应性,在各种应用中表现出色。它的双向/单向负载开关能力使其成为电源管理和负载控制领域的理想选择。虽然其热阻较高,但通过适当的散热措施,仍可获得最佳性能。综上所述,我们强烈推荐使用AON3816以满足高效率和可靠性的需求。

AON3816参数

参数
配置 -
栅极电荷 13nC@ 4.5V
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 4A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@10V
最大功率耗散 2.5W
长*宽*高 2.9mm(长度)*2.3mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AON3816厂商介绍

Alpha & Omega Semiconductor(简称AOS)是一家全球领先的功率半导体公司,专注于开发和制造高性能的电源管理解决方案。AOS的产品广泛应用于各种市场,包括工业、消费电子、计算机和通信设备。

AOS的主营产品分类包括:
1. 功率MOSFETs:用于控制电源开关和调节电压。
2. IGBTs(绝缘栅双极晶体管):用于高功率应用,如电动汽车和太阳能逆变器。
3. 电源管理ICs:集成了多个功能,以提高能效和简化设计。
4. 模拟ICs:包括运算放大器、比较器和接口产品。

AOS的产品在以下应用领域中发挥着重要作用:
- 电源转换和分配
- 电机控制
- 电池管理
- 照明
- 消费电子

Alpha & Omega Semiconductor的优势在于:
- 高性能产品:提供高效率、低功耗和高可靠性的解决方案。
- 广泛的产品线:满足不同市场和应用的需求。
- 技术创新:持续投资研发,推动行业技术进步。
- 客户支持:提供定制化解决方案和技术支持,以满足客户的特定需求。

AON3816数据手册

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AON3816封装设计

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