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AOTS32334C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta) 2.3V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 30V 20mΩ@ 8A,10V 600pF@15V TSOP-6 贴片安装
供应商型号: AOTS32334C
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) AOTS32334C

AOTS32334C概述

    # 电子元器件产品技术手册:AOTS32334C

    产品简介


    AOTS32334C 是一款高性能的30V N-通道Trench Power MOSFET,采用先进的沟槽功率MOSFET技术。它具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,适用于负载开关应用。这款器件通过严格的温度范围测试,确保在各种恶劣环境下稳定工作,且符合RoHS和无卤素标准,适合多种电子产品的需求。

    技术参数


    电气特性
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 VDS | 30 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 VGS(th) | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
    | 静态漏源导通电阻 RDS(ON) (VGS=10V) | - | - | < 20 | mΩ |
    | 静态漏源导通电阻 RDS(ON) (VGS=4.5V) | - | - | < 26 | mΩ |
    | 最大栅源电流 IGSS | ±10 | - | - | μA |
    | 最大栅漏电流 IGS | - | - | ±20 | μA |
    | 反向传输电容 Crss | - | - | 60 | pF |
    动态特性
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 门极充电量 Qg(10V) | - | - | 20 | nC |
    | 门极充电量 Qg(4.5V) | - | - | 12 | nC |
    | 转换电容 Coss | - | - | 70 | pF |
    | 逆向恢复电荷 Qrr | - | - | 6 | nC |
    | 门极到源极电荷 Qgs | - | - | 2.2 | nC |
    | 门极到漏极电荷 Qgd | - | - | 2.5 | nC |
    热特性
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 界面至外壳热阻 RqJL | 23 | - | 30 | °C/W |
    | 界面至环境热阻 RqJA | 42 | - | 68 | °C/W |
    | 结温 TJ | -55 | 25 | 150 | °C |
    | 峰值结温 TJ(PK) | - | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    AOTS32334C的主要特点是其超低的静态导通电阻和快速开关特性,这使得它非常适合用于高效率负载开关应用。它的低栅极电荷可以有效减少驱动功耗,提升系统效率。此外,它的高可靠性和稳定性使其适用于各种严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:由于其低RDS(ON),AOTS32334C特别适合于需要高效电流控制的应用场景,例如电池管理系统的负载开关。
    - 电源转换:在电源转换器中,它可以有效地降低导通损耗,提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 在设计应用电路时,应注意散热设计,确保良好的热传导路径,以避免因过热而导致的性能下降。
    - 考虑到其快速开关特性,建议合理配置外围电路参数,以优化系统响应速度。

    兼容性和支持


    AOTS32334C采用TSOP-6封装,与现有的许多电路板设计兼容。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确选择合适的驱动电压?
    解决方案:根据手册推荐,VGS应在4.5V到10V之间。建议选用专用的驱动IC来保证足够的驱动电压。
    问题2:长时间工作时如何避免过热?
    解决方案:设计散热路径,如增加散热片或优化PCB布局,确保良好散热,防止器件过热。

    总结和推荐


    总体而言,AOTS32334C是一款性能卓越的N-通道MOSFET,适用于需要高效率和稳定性的应用场景。其低RDS(ON)、低栅极电荷和快速开关特性使其成为一种理想的选择。强烈推荐该产品给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

AOTS32334C参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 250µA
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 20nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.5W(Ta)
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 8A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 600pF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AOTS32334C厂商介绍

Alpha & Omega Semiconductor(简称AOS)是一家全球领先的功率半导体公司,专注于开发和制造高性能的电源管理解决方案。AOS的产品广泛应用于各种市场,包括工业、消费电子、计算机和通信设备。

AOS的主营产品分类包括:
1. 功率MOSFETs:用于控制电源开关和调节电压。
2. IGBTs(绝缘栅双极晶体管):用于高功率应用,如电动汽车和太阳能逆变器。
3. 电源管理ICs:集成了多个功能,以提高能效和简化设计。
4. 模拟ICs:包括运算放大器、比较器和接口产品。

AOS的产品在以下应用领域中发挥着重要作用:
- 电源转换和分配
- 电机控制
- 电池管理
- 照明
- 消费电子

Alpha & Omega Semiconductor的优势在于:
- 高性能产品:提供高效率、低功耗和高可靠性的解决方案。
- 广泛的产品线:满足不同市场和应用的需求。
- 技术创新:持续投资研发,推动行业技术进步。
- 客户支持:提供定制化解决方案和技术支持,以满足客户的特定需求。

AOTS32334C数据手册

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ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTS32334C AOTS32334C数据手册

AOTS32334C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ ¥ 0.6048
5000+ ¥ 0.5846
9000+ ¥ 0.5695
15000+ ¥ 0.5645
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