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VRF151G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: MICROSEMI
产品描述: 300KW 40V 4.4V 1个N沟道 170V 40A 375pF@ 150V SOE-4 贴片安装 34.04mm*9.91mm*5.33mm
供应商型号: SEU-VRF151G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROSEMI 场效应管(MOSFET) VRF151G

VRF151G概述

    VRF151G 高频功率场效应晶体管技术手册解析

    1. 产品简介


    VRF151G 是一款专为宽带商业和军事应用设计的高频功率场效应晶体管(MOSFET)。它的工作频率可达175MHz,适用于FM广播或电视频道频率带宽内的固态发射机。该器件具备高功率输出能力和高增益性能,使其成为需要高可靠性、稳定性及低杂散调制失真的关键应用的理想选择。

    2. 技术参数


    VRF151G的主要技术参数如下:
    - 最高电压:V(BR)DSS = 180V(典型值170V)
    - 最大连续漏极电流:ID = 36A(@TC = 25°C)
    - 最高门源电压:VGS = ±40V
    - 总功耗:PD = 500W(@TC = 25°C)
    - 存储温度范围:TSTG = -65至150°C
    - 栅极阈值电压:VGS(TH) = 2.9至4.4V
    - 反向转移电容:Crss = 12pF(@ f = 1MHz)
    其他特性还包括:高电压替代品(High Voltage Replacement for MRF151G)、氮化物钝化、耐热性镀金金属化以及5:1负载驻波比能力。

    3. 产品特点和优势


    VRF151G 具备以下独特功能和优势:
    - 高功率输出能力:在175MHz时,能够提供300W的输出功率。
    - 高增益:在相同条件下,具有16dB的典型增益。
    - 优秀的稳定性和低杂散调制失真(IMD):确保信号传输的纯净度和质量。
    - 符合RoHS标准:绿色环保,无铅焊锡。
    - 兼容5:1负载驻波比:提高了系统的可靠性和灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    VRF151G 的应用场景包括FM广播发射机、电视发射机和其他需要高性能固态放大器的应用。根据技术手册中的测试电路(如图7所示),该器件可以应用于频率高达175MHz的系统中。
    使用建议:
    - 确保正确的电路设计和负载匹配,以充分利用其高功率和高频性能。
    - 注意散热管理,特别是在高功率工作条件下,以避免过热导致器件损坏。
    - 使用适当的滤波器和保护电路来减少干扰和噪声,提高信号质量。

    5. 兼容性和支持


    VRF151G 可与多种标准电路组件兼容,例如图7中展示的变压器和电容器等。制造商 Microsemi 提供详细的技术支持和维护服务,包括详细的安装指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确处理静电放电敏感器件?
    - A: 在处理VRF151G时,应遵循厂家提供的静电防护指南,确保设备的安全和可靠性。

    - Q: 设备在高温环境下如何保持最佳性能?
    - A: 确保良好的散热设计,并根据手册中提供的温度特性调整工作条件。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VRF151G是一款高性能、高可靠性、适应性强的高频功率场效应晶体管,非常适合用于要求严苛的商用和军用应用场合。它的高功率输出能力、低杂散调制失真和出色的稳定性能使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐将VRF151G用于需要高性能固态放大器的应用中。

VRF151G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.4V
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 375pF@ 150V
配置 共源,2elements
Vds-漏源极击穿电压 170V
Vgs-栅源极电压 40V
最大功率耗散 300KW
通道数量 -
长*宽*高 34.04mm*9.91mm*5.33mm
通用封装 SOE-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

VRF151G厂商介绍

Microsemi是一家全球领先的高性能模拟和混合信号半导体解决方案供应商,专注于为****和**、通信、数据中心和工业市场提供创新的解决方案。公司的产品线涵盖FPGA、ASIC、SoC、模拟、RF、功率管理和时钟管理等。

Microsemi的产品主要分为以下几类:
1. FPGA:提供高性能、低功耗的FPGA解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
2. ASIC/SoC:定制化的ASIC和SoC解决方案,满足客户在性能、功耗和成本方面的特定需求。
3. 模拟:包括电源管理、信号链和接口解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
4. RF:提供高性能的RF解决方案,包括射频收发器、功率放大器和滤波器等。
5. 时钟管理:提供高精度的时钟和同步解决方案,满足通信和数据中心等领域的需求。

Microsemi的优势在于其在高性能模拟和混合信号领域的深厚技术积累,以及对客户需求的深刻理解。公司致力于为客户提供高性能、低功耗和高可靠性的解决方案,以满足日益严苛的应用需求。

VRF151G数据手册

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MICROSEMI 场效应管(MOSFET) MICROSEMI VRF151G VRF151G数据手册

VRF151G封装设计

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