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VRF151

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W 170V 375pF@ 150V
供应商型号: VRF151-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VRF151

VRF151概述


    产品简介


    产品名称:VRF151/M
    类型:金金属化硅n沟道射频功率晶体管
    主要功能:
    VRF151/M是一款专为宽带商业和军事应用设计的射频功率晶体管。它能够在不牺牲可靠性、坚固性或互调失真的情况下提供高功率和增益。
    应用领域:
    - 宽带通信系统
    - 军事雷达设备
    - 无线基础设施
    - 通信系统中的功率放大器

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 170 V |
    | 持续漏电流 (ID) | 16 A |
    | 栅源电压 (VGS) | ±40 V |
    | 总耗散功率 (PD) | 300 W |
    | 存储温度范围 (TSTG)| -65°C 到 150°C |
    | 工作结温 (TJ) | 200°C |
    功能特性
    - 改进的坚固性 (V(BR)DSS = 170V)
    - 在30MHz时提供22dB典型增益,在175MHz时提供14dB典型增益
    - 出色的稳定性及低互调失真 (IMD)
    - 常见源配置
    - 可提供匹配对
    - 70:1负载驻波比能力(在指定操作条件下)
    - 硝酸盐钝化
    - 耐火金金属化
    - 高压替代品 (MRF151)
    - 符合RoHS标准
    动态特性
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 输入电容 (CISS) | VGS = 0V | 375 pF
    | 输出电容 (Coss) | VDS = 150V 200 pF
    | 反向传输电容 (Crss)| f = 1MHz 12 pF
    性能参数
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 增益 (GP) | f1 = 30MHz, f2 = 30.001MHz, VDD = 50V, IDQ = 250mA, Pout = 150WPEP | 18 dB | 22 dB
    | 增益 (GP) | f = 175MHz, VDD = 50V, IDQ = 250mA, Pout = 150W 14 dB
    | 效率 (ηD) | f1 = 30MHz, f2 = 30.001MHz, VDD = 50V, IDQ = 250mA, Pout = 150WPEP | 50 %
    | 互调失真 (IMD) | f1 = 30MHz, f2 = 30.001MHz, VDD = 50V, IDQ = 250mA, Pout = 150WPEP | -30 dBc
    | 驻波比 (VSWR) | 70:1 |

    产品特点和优势


    VRF151/M具有出色的稳定性和低互调失真,适合要求高可靠性的商业和军事应用。其具备改进的坚固性,能够在极端条件下正常工作。此外,该产品还支持高达175MHz的频率,且具有出色的增益和效率,使其成为射频应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 宽带通信系统中的功率放大器
    - 军事雷达设备中的信号放大
    - 无线基础设施中的高频通信模块
    使用建议
    1. 优化电路设计:为了确保最佳性能,应在实际应用中考虑完整的电路设计,包括适当的匹配网络和滤波器。
    2. 注意散热:由于其高耗散功率,确保良好的散热措施是必要的,例如使用散热片或风扇来帮助散热。
    3. 保护静电放电:在处理和安装过程中要遵循静电放电防护措施,以避免损坏设备。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VRF151/M可与多种射频电路组件兼容,包括各类电容器和电感器。
    - 支持:Microsemi提供详尽的技术文档和支持,包括在线资源和客户支持热线。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 设备发热严重 | 使用散热片或风扇进行冷却 |
    | 增益不足 | 检查输入信号和偏置电压设置 |
    | 驻波比异常 | 检查匹配网络并调整电容/电感|

    总结和推荐


    VRF151/M是一款性能优异的射频功率晶体管,特别适用于需要高功率、高增益和高可靠性的宽带商业和军事应用。其具备出色的性能参数和功能特性,使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高性能射频器件的应用,我们强烈推荐使用VRF151/M。

VRF151参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 375pF@ 150V
Vds-漏源极击穿电压 170V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 300W
配置 -
零件状态 在售
包装方式 管装

VRF151厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VRF151数据手册

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VRF151封装设计

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