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VP3203N3-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 740mW(Ta) 20V 3.5V@10mA 1个P沟道 30V 600mΩ@ 3A,10V 650mA 300pF@25V TO-92-3 通孔安装 5.21mm*4.19mm*5.33mm
供应商型号: 2810154
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VP3203N3-G

VP3203N3-G概述

    VP3203 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    产品简介


    VP3203 是一款由 Supertex 公司生产的 P 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET)。这种晶体管主要用于电机控制、转换器、放大器、开关和电源电路等领域。它以其出色的热稳定性、高输入阻抗和低栅极泄漏电流等特性而著称,非常适合在严苛环境下运行的应用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (BVDSS) | -30 | - | - | V |
    | 栅极击穿电压 (BVDGS) | - | - | -20 | V |
    | 栅极至源极漏电流 (IGSS) | - | - | -100 | nA |
    | 零栅压漏极电流 (IDSS) | - | - | -10 | μA |
    | 开启状态漏极电流 (ID(ON)) | - | - | -14 | A |
    | 静态漏源开启电阻 (RDS(ON)) | - | 0.6 | - | Ω |
    | 栅极至源极阈值电压 (VGS(th)) | -1.0 | - | -3.5 | V |
    | 输入电容 (CISS) | - | 200 | 300 | pF |
    | 开关延迟时间 (td(ON)) | - | - | 10 | ns |
    | 关断延迟时间 (td(OFF)) | - | - | 25 | ns |

    产品特点和优势


    VP3203 的主要特点包括:
    - 免受二次击穿的影响:具备优秀的热稳定性和高输入阻抗。
    - 低功耗驱动需求:适用于需要高效能应用的场合。
    - 并联方便:易于实现多芯片并联以满足不同功率需求。
    - 低 CISS 和快速开关速度:提高系统整体效率。
    - 热稳定性优异:可在 -55°C 到 +150°C 范围内正常工作。

    应用案例和使用建议


    VP3203 在多种应用中表现出色,例如:
    - 电机控制:适合控制直流电机,具有高可靠性。
    - 电源管理:作为电源开关或续流二极管,确保电源系统的高效和可靠运行。
    - 驱动器:可以驱动继电器、电磁铁、灯泡等负载。
    使用建议:
    - 在设计电机控制系统时,应充分考虑电机的启动和停止过程中的电流变化,合理选择合适的工作点。
    - 在电源管理应用中,建议结合散热措施来降低温度影响,提高长期工作的稳定性。

    兼容性和支持


    VP3203 支持两种封装形式:TO-92 和 TO-243AA (SOT-89),这使得它能够适应不同类型的电路板设计。Supertex 公司提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高温环境下运行,RDS(ON) 变化大吗?
    答:VP3203 的 RDS(ON) 温度系数为 1.0 %/°C,在 -55°C 到 +150°C 范围内变化不大,但仍需关注散热措施。
    2. 问:如何确定正确的栅极电压以避免过大的漏电流?
    答:根据 VGS(th) 参数,建议将栅极电压设置在 -10V 左右,具体取决于应用需求和电路条件。

    总结和推荐


    VP3203 是一款功能强大且适用范围广泛的 P 沟道增强型垂直 DMOS FET。它的热稳定性、低输入电容、快速开关速度等特点使其成为许多电子应用的理想选择。尽管其价格相对较高,但考虑到其优异的性能和长久的工作寿命,非常值得推荐给对性能要求较高的项目使用。对于希望提升电路效率和可靠性的工程师来说,VP3203 是一个不错的选择。

VP3203N3-G参数

参数
最大功率耗散 740mW(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 300pF@25V
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 3A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@10mA
Id-连续漏极电流 650mA
FET类型 1个P沟道
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

VP3203N3-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VP3203N3-G数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VP3203N3-G VP3203N3-G数据手册

VP3203N3-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 14.1533
25+ ¥ 12.6813
100+ ¥ 12.2284
1000+ ¥ 12.2284
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