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MSC035SMA170B4

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: Microchip N沟道MOS管, Vds=1700 V, 48 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚
供应商型号: MSC035SMA170B4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 碳化硅场效应管 MSC035SMA170B4

MSC035SMA170B4概述


    产品简介


    MSC035SMA170B Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET
    产品类型:硅碳化物(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:高效率、快速开关和低损耗
    应用领域:
    - 光伏逆变器、转换器和工业电机驱动
    - 智能电网传输和分配
    - 感应加热和焊接
    - 高速电动汽车(HEV)传动系统和电动车充电站
    - 电源供应和分配

    技术参数


    以下是MSC035SMA170B的关键技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - VDSS(漏源电压):1700 V
    - ID(连续漏电流):25°C下68 A;100°C下48 A
    - 脉冲漏电流:200 A
    - VGS(栅源电压):23 V至-10 V
    - PD(总功耗):25°C下370 W
    - 线性降额系数:2.47 W/°C
    - 热学和机械特性:
    - RθJC(结壳热阻):0.27到0.41 °C/W
    - TJ(工作结温):-55°C到175°C
    - TSTG(存储温度):-55°C到150°C
    - TLS(焊接温度,持续10秒):260°C
    - 安装扭矩(6-32或M3螺钉):10 lbf-in 或 1.1 N-m
    - 包装重量:0.22盎司 或 6.2克
    - 静态特性:
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压):1700 V
    - RDS(on)(漏源导通电阻):25°C下45毫欧
    - VGS(th)(栅源阈值电压):1.8到3.25 V
    - ΔVGS(th)/ΔTJ(阈值电压系数):-5.1 mV/°C
    - IDSS(零栅极电压漏电流):100 μA(VDS=1700 V,VGS=0 V)
    - 动态特性:
    - Ciss(输入电容):10 pF
    - Crss(反向传输电容):10 pF
    - Coss(输出电容):150 pF
    - Qg(总栅极电荷):49 nC
    - Qgd(栅极-漏极电荷):27 nC
    - td(on)(导通延迟时间):9 ns
    - tr(电流上升时间):10 ns

    产品特点和优势


    - 高效能:减少系统的体积和重量
    - 易于驱动和并联:操作简单
    - 优越的热特性:改善散热性能,降低开关损耗
    - 消除外部续流二极管的需求
    - 更低的系统成本:由于其高效能和长寿命

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在光伏逆变器中提高能量转换效率
    - 在智能电网中提供稳定可靠的电力传输
    使用建议:
    - 建议在高温环境下使用时监控其工作温度,以确保长期稳定运行
    - 在设计电路时考虑到低电容和低栅极电荷特性,优化电路布局以提高整体性能

    兼容性和支持


    该产品在大多数高压应用环境中均表现良好,且RoHS合规。供应商Microsemi提供了全面的技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定该MOSFET的工作温度范围?
    - 答:工作结温为-55°C到175°C,存储温度为-55°C到150°C。
    2. 问:如何计算散热需求?
    - 答:使用线性降额系数2.47 W/°C,根据具体环境温度和功耗计算所需的散热措施。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 高效、稳定的性能使其成为高压应用的理想选择
    - 适用于多种工业和汽车领域的高性能应用
    - 易于驱动和集成,适合快速开发和部署
    推荐:
    强烈推荐使用MSC035SMA170B Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET,尤其是在需要高效能和可靠性的应用中。

MSC035SMA170B4参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 178nC@ 20 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.3nF@1000V
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.25V@ 2.5mA (Typ)
击穿电压 -
最大功率 -
Vgs-栅源极电压 23V
Id-连续漏极电流 48A
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 30A,20V
最大功率耗散 370W(Tc)
Idss-饱和漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-247-4
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

MSC035SMA170B4厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

MSC035SMA170B4数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 碳化硅场效应管 MICROCHIP TECHNOLOGY MSC035SMA170B4 MSC035SMA170B4数据手册

MSC035SMA170B4封装设计

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120+ ¥ 296.9354
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