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VN2222LL-G P003

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 400mW(Ta),1W(Tc) 30V 2.5V@1mA 1个N沟道 60V 7.5Ω@ 500mA,10V 230mA 60pF@25V TO-92-3 通孔安装 5.21mm*4.19mm*5.33mm
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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VN2222LL-G P003

VN2222LL-G P003概述

    VN2222LL N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    VN2222LL 是一款增强型(常关)N沟道垂直DMOS场效应晶体管(FET),适用于各类电源管理和电机控制电路。
    主要功能:
    - 高输入阻抗和正温度系数
    - 无二次击穿
    - 低功耗驱动需求
    - 低栅源电容和快速开关速度
    - 优异的热稳定性
    应用领域:
    - 电机控制
    - 转换器
    - 放大器
    - 开关
    - 电源电路
    - 驱动器(继电器、锤子、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (BVDSS):60V
    - 漏栅电压 (BVDGS):±20V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 工作和存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 电气特性(TA = 25°C):
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):60V
    - 栅阈电压 (VGS(th)):0.6V 至 2.5V
    - 漏电流 (IDSS):10µA
    - 导通漏电流 (ID(ON)):0.75A
    - 静态导通电阻 (RDS(ON)):7.5Ω
    - 前向跨导 (GFS):100mmho
    - 输入电容 (CISS):60pF
    - 输出电容 (COSS):25pF
    - 反向转移电容 (CRSS):8.0pF
    - 开启时间 (t(ON)):10ns
    - 关闭时间 (t(OFF)):10ns
    - 二极管正向电压降 (VSD):0.85V

    3. 产品特点和优势


    产品特点:
    - 集成了源极-漏极二极管,确保无热跑失控和热诱发二次击穿。
    - 通过垂直DMOS结构实现了高功率处理能力和正温度系数。
    - 低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
    产品优势:
    - 易于并联使用,提供低阈值电压。
    - 高输入阻抗和高增益,使其适合多种放大和开关应用。
    - 适用于广泛的温度范围,具备出色的热稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电机控制电路中的开关元件。
    - 在转换器和电源电路中作为高效率的驱动器。
    使用建议:
    - 在设计电源电路时,考虑其高速开关特性以减少损耗。
    - 并联使用多个VN2222LL可以提高电流承载能力。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - VN2222LL与各种标准电源和电机控制电路板兼容。
    - 支持TO-92封装,方便在电路板上安装。
    支持和维护:
    - Supertex Inc. 提供全面的技术支持和产品文档。
    - 可以通过官方渠道获取最新的产品规格和更新。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - Q: 如何选择合适的栅源电压?
    - A: 通常建议使用10V作为栅源电压,确保充分开启状态下的性能。

    - Q: 在高温环境下工作如何影响性能?
    - A: 在高温环境下工作时,需注意散热,以防止过温导致损坏。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - VN2222LL具有出色的性能参数和宽广的工作温度范围,适用于多种电源管理和电机控制应用。
    - 它的低阈值电压、高击穿电压和正温度系数使它成为一种非常可靠的选择。
    - 产品性价比高,值得推荐给需要高性能开关元件的应用。
    推荐:
    - 强烈推荐使用VN2222LL在电机控制、电源管理和转换器等应用中,特别是对于那些需要高效、可靠的开关解决方案的设计者。

VN2222LL-G P003参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 400mW(Ta),1W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 60pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
Id-连续漏极电流 230mA
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
配置 独立式
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VN2222LL-G P003厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VN2222LL-G P003数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VN2222LL-G P003 VN2222LL-G P003数据手册

VN2222LL-G P003封装设计

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