处理中...

首页  >  产品百科  >  TP2104N3-G

TP2104N3-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 175 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: TP2104N3-G
供应商: 国内现货
标准整包数: 25
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) TP2104N3-G

TP2104N3-G概述


    产品简介


    TP2104低阈值增强型垂直DMOS场效应晶体管(P-Channel) 是一款适用于逻辑级接口、固态继电器、模拟开关、电源管理和电信开关等多种应用的电子元器件。它采用了垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺,提供了比双极型晶体管更高的功率处理能力和正温度系数,同时保持了MOS器件高输入阻抗的特点。此外,由于其MOS结构特性,该器件不会发生热失控和热诱导二次击穿。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (BVDSS): 最大值为 -40V
    - 门阈电压 (VGS(th)): 最小值为 -1V,最大值为 -2V
    - 最大零门电压漏电流 (IDSS): -10μA(在VDS为最大额定值时)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 在VGS为-4.5V,ID为-50mA时的最大值为10Ω,在VGS为-10V,ID为-500mA时的最大值为6Ω
    - 温度变化时的漏源导通电阻变化率 (ΔRDS(ON)): 0.55%/°C(在VGS为-10V,ID为-500mA时)
    - 动态电气特性
    - 前向转移电导 (GFS): 最小值为150mmho(在VDS为-25V,ID为-500mA时)
    - 输入电容 (CISS): 35pF(在VGS为0V,VDS为-25V,频率为1MHz时)
    - 共源输出电容 (COSS): 22pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 8pF
    - 导通延迟时间 (td(ON)): 4ns
    - 开关速度 (tr): 4ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)): 5ns
    - 下降时间 (tf): 5ns
    - 温度范围
    - 工作环境温度 (TA): -55°C至+150°C
    - 存储温度 (TS): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 高输入阻抗和高增益: 这一特性使得TP2104非常适合于需要高输入阻抗的应用场合。
    - 低功耗驱动需求: 减少了驱动电路的复杂度和成本。
    - 易于并联: 简化了多通道电路的设计和实现。
    - 低Ciss和快速开关速度: 这一点对于高频信号的处理至关重要。
    - 卓越的热稳定性: 能够在广泛的温度范围内保持稳定的性能。
    - 内置源漏二极管: 增加了额外的功能和可靠性。
    - 免于二次击穿: 提升了器件的安全性和寿命。

    应用案例和使用建议


    TP2104常用于逻辑级接口(如TTL和CMOS),这些应用要求具有低阈值电压、高击穿电压和快速开关速度。此外,它还广泛应用于固态继电器和模拟开关,特别是在对温度敏感的环境中。为了优化性能,建议在设计电路时考虑使用合适的驱动器以确保器件能够在预期的工作条件下可靠运行。

    兼容性和支持


    TP2104与多种电子元器件和系统兼容,特别是那些需要低阈值电压和快速开关速度的应用。厂商提供了全面的技术支持和维护服务,包括文档资料、样品申请、技术支持热线等,确保用户能够充分利用该产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确接线以避免击穿?
    - 解决办法:确保所有连接符合数据手册中的规定,并遵循正确的接地和电源管理策略。
    2. 问题:在高温环境下,如何确保器件稳定运行?
    - 解决办法:选择合适的散热措施,并使用热敏电阻监测温度变化,以及时调整工作条件。
    3. 问题:在高频应用中,如何减少开关损耗?
    - 解决办法:选用合适的驱动器,并优化电路布局以减小寄生电容和电感的影响。

    总结和推荐


    TP2104是一款多功能且性能卓越的P-Channel增强型垂直DMOS FET,特别适合于逻辑级接口、固态继电器和模拟开关等应用。其优越的电气特性和温度稳定性使其成为高性能应用的理想选择。综合其技术参数、应用特性和市场表现,我们强烈推荐这款产品给需要高性能电子元器件的设计工程师和制造商。

TP2104N3-G参数

参数
栅极电荷 -
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 60pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 175mA
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 500mA,10V
最大功率耗散 740mW(Ta)
通道数量 1
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

TP2104N3-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

TP2104N3-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY TP2104N3-G TP2104N3-G数据手册

TP2104N3-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 4.6482
250+ ¥ 4.2835
500+ ¥ 4.2634
5000+ ¥ 3.9815
库存: 2250
起订量: 125 增量: 0
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 116.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504