处理中...

首页  >  产品百科  >  VP2106N3-G

VP2106N3-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 250 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: VP2106N3-G
供应商: 国内现货
标准整包数: 25
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VP2106N3-G

VP2106N3-G概述

    VP2106 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 技术手册解析

    1. 产品简介


    VP2106 是由 Supertex Inc. 生产的一款 P-Channel 增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET)。这种类型的晶体管主要适用于电机控制、转换器、放大器、开关、电源电路以及驱动器等多种应用场合。VP2106 的基本功能是作为电力管理的关键部件,在高压高电流环境下提供可靠的开关和放大能力。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极击穿电压 | -60 | - | - | V |
    | 栅极-漏极击穿电压 | - | - | - | V |
    | 栅极-源极击穿电压 | - | ±20 | - | V |
    | 工作温度范围 | -55 | - | +150 | °C |
    | 静态漏源通态电阻 | - | 9.0 | 15 | Ω |
    | 门阈电压 | -1.5 | -3.5 | - | V |
    | 输入电容 | - | 45 | 60 | pF |
    | 正向传输电容 | - | 3.0 | 8.0 | pF |

    3. 产品特点和优势


    VP2106 具有多项显著优势:
    - 免于二次击穿:这一特性确保在极端条件下不会因过热而导致损坏。
    - 低功耗驱动需求:使得在复杂电路中更容易集成和操作。
    - 并联容易:简化了设计过程并提高了系统的可靠性。
    - 输入电容低且开关速度快:提高了电路的效率和响应速度。
    - 出色的热稳定性:保证了器件在高温环境下的稳定性能。
    - 栅极与源极间二极管:提供了额外的安全保护。
    - 高输入阻抗和增益:进一步减少了噪声干扰,提升了信号完整性。

    4. 应用案例和使用建议


    VP2106 在多种应用场景下表现出色:
    - 电机控制:通过精确控制电流来优化电机运行。
    - 电源电路:用于高频开关电源,以减少损耗并提高效率。
    - 驱动器:可用于驱动各种负载,如继电器、电磁铁等。
    建议根据实际应用选择合适的驱动条件,并确保在规定的工作温度范围内使用,以达到最佳效果。

    5. 兼容性和支持


    VP2106 与常见的电路板和电源系统具有良好的兼容性,可以直接替换传统组件而无需对现有电路进行大规模修改。同时,Supertex Inc. 提供全面的技术支持服务,包括详细的安装指南和故障排查手册,帮助用户解决使用过程中可能遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 确认门极驱动信号的强度足够,必要时增加驱动器功率 |
    | 过热保护启动 | 检查散热片是否正确安装,确认周围环境温度未超出允许范围 |
    | 输出电流不足 | 确认供电电压是否满足要求,检查负载连接情况 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,VP2106 是一款具有广泛适用性的高性能 P-Channel 增强型垂直 DMOS FET,特别适合于高压、高电流的电力管理应用。凭借其优异的电气特性和稳定的热性能,它能够有效提升系统整体性能。因此,强烈推荐在需要高效、可靠电力控制的项目中采用此产品。

VP2106N3-G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 12Ω@ 500mA,10V
最大功率耗散 1W(Tc)
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 250mA
配置 独立式
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 60pF@25V
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

VP2106N3-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VP2106N3-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VP2106N3-G VP2106N3-G数据手册

VP2106N3-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 3.5284
5000+ ¥ 3.2062
库存: 1900
起订量: 150 增量: 0
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 88.21
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831