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VN2460N3-G-P003

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Ta) 20V 4V@2mA 1个N沟道 600V 20Ω@ 100mA,10V 160mA 150pF@25V TO-92 通孔安装 5.21mm*4.19mm*5.33mm
供应商型号: VN2460N3-G-P003-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VN2460N3-G-P003

VN2460N3-G-P003概述

    VN2460 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

    1. 产品简介


    VN2460是一款由Microchip Technology Inc.生产的增强模式(通常为非导通)场效应晶体管(FET)。它采用了垂直双扩散金属氧化物半导体结构和成熟硅栅制造工艺。这种组合使得该器件具有与双极型晶体管相当的功率处理能力,同时也继承了MOS器件高输入阻抗和正温度系数的特点。VN2460特别适合用于电机控制、电源电路、驱动器(如继电器、锤子、螺线管、灯泡、存储器、显示器、双极型晶体管等)等多种应用场合。

    2. 技术参数


    电气特性
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (BVDSS):600 V
    - 漏栅电压 (BVDGS):600 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 工作环境温度 (TA):–55°C 至 +150°C
    - 存储温度 (TS):–55°C 至 +150°C
    - 直流电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):≥ 600 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):1.5 V 至 4 V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):≤ 10 μA
    - 通态漏极电流 (ID(ON)):≥ 2500 mA
    - 静态通态漏源电阻 (RDS(ON)):≤ 25 Ω (VGS = 4.5 V),≤ 20 Ω (VGS = 10 V)
    - 通态漏源电阻随温度变化 (ΔRDS(ON)):1.7 %/°C (VGS = 10 V, ID = 100 mA)
    - 交流电气特性
    - 前向跨导 (GFS):50 mS
    - 输入电容 (CISS):150 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz)
    - 共源输出电容 (COSS):50 pF
    - 反向转移电容 (CRSS):25 pF
    - 开启延时时间 (td(ON)):≤ 10 ns
    - 关闭延时时间 (td(OFF)):≤ 25 ns
    热特性
    - 热阻
    - 3-引脚 TO-92 封装:θJA = 132 °C/W
    - 3-引脚 SOT-89 封装:θJA = 133 °C/W
    - 温度范围
    - 工作环境温度 (TA):–55°C 至 +150°C
    - 存储温度 (TS):–55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 无二次击穿
    - 低功耗驱动需求
    - 易于并联
    - 低CISS和快速开关速度
    - 优秀的热稳定性
    - 内置源-漏二极管
    - 高输入阻抗和高增益
    这些特性使VN2460成为适用于多种应用场合的理想选择,特别是在需要高性能和可靠性的环境中。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机控制:用于控制各种电机,如直流电机和步进电机。
    - 电源电路:适用于转换器、放大器和开关电源的设计。
    - 驱动器:适用于驱动各类负载,如继电器、锤子、螺线管、灯泡等。
    使用建议
    - 散热设计:在高电流环境下使用时,应确保良好的散热措施,以避免过热损坏。
    - 驱动信号:确保驱动信号满足要求,特别是在高频应用中。
    - 温度管理:由于高工作温度范围,需要考虑在极端环境下的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:VN2460可与多种现有系统和电路兼容,适用于广泛的应用场景。
    - 支持:Microchip提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过热保护
    - 解决办法:增加外部散热片或改进散热设计,确保良好的热管理。

    - 问题2:开关速度慢
    - 解决办法:检查驱动信号频率和幅度,确保符合器件要求。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VN2460是一款高度可靠的N-通道增强型垂直DMOS FET,具备出色的电气特性和热稳定性。它适用于多种应用场合,如电机控制、电源电路和驱动器等。尽管价格可能略高于普通MOSFET,但其卓越的性能使其成为高性能应用的优选器件。我们强烈推荐VN2460用于需要高可靠性、高稳定性和高性能的应用中。

VN2460N3-G-P003参数

参数
Id-连续漏极电流 160mA
Rds(On)-漏源导通电阻 20Ω@ 100mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@25V
最大功率耗散 1W(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@2mA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 -
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VN2460N3-G-P003厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VN2460N3-G-P003数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VN2460N3-G-P003 VN2460N3-G-P003数据手册

VN2460N3-G-P003封装设计

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